Отрывок: (40) 11. Таким образом мы получаем следующие размеры резистора:  расстояние между звеньями a = 0,4 мм;  толщина резистивной пленки b = 0,4 мм;  шаг, принимаемый за длину одного звена t = 0,8 мм;  длина контура резистора L = 3,2 мм;  ширина контура резистора B = 2,948 мм;  длина перекрытия пленок контактного перехода . Эскиз резистора, который необходимо изготовить, представлен на рисунке 11, а также в приложении В. 27 Ри...
Название : Расчет, разработка технологии изготовления и исследование тонкопленочного резистора типа меандр
Авторы/Редакторы : Жидецкий Н. Д.
Карпеев С. В.
Ерендеев Ю. П.
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Институт информатики и кибернетики
Дата публикации : 2022
Библиографическое описание : Жидецкий, Н. Д. Расчет, разработка технологии изготовления и исследование тонкопленочного резистора типа меандр : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / Н. Д. Жидецкий ; рук. работы С. В. Карпеев ; нормоконтролер Ю. П. Ерендеев ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики. - Самара, 2022. - 1 файл (4,73 Мб). - Текст : электронный
Аннотация : Объектом исследования являются технология и методы изготовления тонкопленочных резисторов. Целью данной выпускной квалификационной работы бакалавра является расчѐт, разработка технологии изготовления и исследование тонкопленочного резистора типа меандр. Область применения знаний и результатов, полученных в работе: портативные компьютеры, СВЧ техника, измерительное и испытательное оборудование, системы управления двигателем автомобиля и т.д. Для реализации резистора по заданным параметрам были произведены расчеты его формы с учетом различных погрешностей, связанных с особенностью формы и способа реализации тонкопленочного резистора, с помощью Mathcad 15. Моделирование резистора производилось в системе автоматизированного проектирования КОМПАС-3D. В ходе работы были изучены различные способы нанесения тонких пленок, предложен план процесса изготовления методом двойной фотолитографии пленки магнетронной установкой ЭТНА-100-МТ, изготовлен и исследован тонкопленочный элемент.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Raschet-razrabotka-tehnologii-izgotovleniya-i-issledovanie-tonkoplenochnogo-rezistora-tipa-meandr-98257
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20220621153344
Ключевые слова: магнетронное распыление
проектирование тонкопленочных резисторов
технология изготовления
тонкие пленки
тонкопленочные резисторы типа меандр
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы




Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.