Отрывок: (40) 11. Таким образом мы получаем следующие размеры резистора: расстояние между звеньями a = 0,4 мм; толщина резистивной пленки b = 0,4 мм; шаг, принимаемый за длину одного звена t = 0,8 мм; длина контура резистора L = 3,2 мм; ширина контура резистора B = 2,948 мм; длина перекрытия пленок контактного перехода . Эскиз резистора, который необходимо изготовить, представлен на рисунке 11, а также в приложении В. 27 Ри...
Название : | Расчет, разработка технологии изготовления и исследование тонкопленочного резистора типа меандр |
Авторы/Редакторы : | Жидецкий Н. Д. Карпеев С. В. Ерендеев Ю. П. Министерство науки и высшего образования Российской Федерации Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) Институт информатики и кибернетики |
Дата публикации : | 2022 |
Библиографическое описание : | Жидецкий, Н. Д. Расчет, разработка технологии изготовления и исследование тонкопленочного резистора типа меандр : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / Н. Д. Жидецкий ; рук. работы С. В. Карпеев ; нормоконтролер Ю. П. Ерендеев ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики. - Самара, 2022. - 1 файл (4,73 Мб). - Текст : электронный |
Аннотация : | Объектом исследования являются технология и методы изготовления тонкопленочных резисторов. Целью данной выпускной квалификационной работы бакалавра является расчѐт, разработка технологии изготовления и исследование тонкопленочного резистора типа меандр. Область применения знаний и результатов, полученных в работе: портативные компьютеры, СВЧ техника, измерительное и испытательное оборудование, системы управления двигателем автомобиля и т.д. Для реализации резистора по заданным параметрам были произведены расчеты его формы с учетом различных погрешностей, связанных с особенностью формы и способа реализации тонкопленочного резистора, с помощью Mathcad 15. Моделирование резистора производилось в системе автоматизированного проектирования КОМПАС-3D. В ходе работы были изучены различные способы нанесения тонких пленок, предложен план процесса изготовления методом двойной фотолитографии пленки магнетронной установкой ЭТНА-100-МТ, изготовлен и исследован тонкопленочный элемент. |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : | http://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Raschet-razrabotka-tehnologii-izgotovleniya-i-issledovanie-tonkoplenochnogo-rezistora-tipa-meandr-98257 |
Другие идентификаторы : | RU\НТБ СГАУ\ВКР20220621153344 |
Ключевые слова: | магнетронное распыление проектирование тонкопленочных резисторов технология изготовления тонкие пленки тонкопленочные резисторы типа меандр |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Жидецкий_Никита_Дмитриевич_Расчет,_разработка_технологии_изготовления.pdf | 4.84 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.