Отрывок: При подаче тетрахлорида кремния (SiCl4) или силана (SiH4) в камеру роста на зернах Au - Si, происходит распад на Si и H, с последующим проникновением Si в каплю. В процессе происходит Рисунок 13 — Схема методов роста КНН. 24 перенасыщение Si на границе раздела до кристаллизации Si, что приводит к росту КНН в длину. 1.5.2. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) В процессах CVD источником кремния служит газообразные соединения силан (SiH4) или тетрахлорид кремния (SiCl...
Название : Оптические свойства структур на основе кремниевых нанонитей
Авторы/Редакторы : Федоров П. С.
Карпеев С. В.
Саноян А. Г.
Минобрнауки России
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Институт информатики
математики и электроники
Дата публикации : 2019
Библиографическое описание : Федоров, П. С. Оптические свойства структур на основе кремниевых нанонитей : вып. квалификац. работа по направлению подгот. "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / П. С. Федоров ; рук. работы С. В. Карпеев ; нормоконтролер А. Г. Саноян ; Минобрнауки России, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, математики и электроники, Фак. - Самаpа, 2019. - on-line
Аннотация : Объектом исследования являются структуры с кремниевыми нанонитями, изготовленные при различных временах травления. Целью работы является исследование зависимости оптических свойств от геометрических параметров кремниевых нанонитей (КНН). Результаты данной дипломной работы могут быть использованы для разработки оптоэлектронных устройств на основе кремниевых нанонитей.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20190808105948
Ключевые слова: коэффициент прозрачности
коэффициент поглощения
коэффициент отражения
кремниевые нанонити
химическое травление
осаждение
оптические свойства
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Федоров_Павел_Сергеевич_Оптические_свойства_структур.pdf2.85 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.