Отрывок: При подаче тетрахлорида кремния (SiCl4) или силана (SiH4) в камеру роста на зернах Au - Si, происходит распад на Si и H, с последующим проникновением Si в каплю. В процессе происходит Рисунок 13 — Схема методов роста КНН. 24 перенасыщение Si на границе раздела до кристаллизации Si, что приводит к росту КНН в длину. 1.5.2. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) В процессах CVD источником кремния служит газообразные соединения силан (SiH4) или тетрахлорид кремния (SiCl...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorФедоров П. С.ru
dc.contributor.authorКарпеев С. В.ru
dc.contributor.authorСаноян А. Г.ru
dc.contributor.authorМинобрнауки Россииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorИнститут информатикиru
dc.contributor.authorматематики и электроникиru
dc.coverage.spatialкоэффициент прозрачностиru
dc.coverage.spatialкоэффициент поглощенияru
dc.coverage.spatialкоэффициент отраженияru
dc.coverage.spatialкремниевые нанонитиru
dc.coverage.spatialхимическое травлениеru
dc.coverage.spatialосаждениеru
dc.coverage.spatialоптические свойстваru
dc.creatorФедоров П. С.ru
dc.date.issued2019ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20190808105948ru
dc.identifier.citationФедоров, П. С. Оптические свойства структур на основе кремниевых нанонитей : вып. квалификац. работа по направлению подгот. "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / П. С. Федоров ; рук. работы С. В. Карпеев ; нормоконтролер А. Г. Саноян ; Минобрнауки России, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, математики и электроники, Фак. - Самаpа, 2019. - on-lineru
dc.description.abstractОбъектом исследования являются структуры с кремниевыми нанонитями, изготовленные при различных временах травления. Целью работы является исследование зависимости оптических свойств от геометрических параметров кремниевых нанонитей (КНН). Результаты данной дипломной работы могут быть использованы для разработки оптоэлектронных устройств на основе кремниевых нанонитей.ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 2,8 Мб)ru
dc.titleОптические свойства структур на основе кремниевых нанонитейru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti29.29ru
dc.subject.udc539.1ru
dc.textpartПри подаче тетрахлорида кремния (SiCl4) или силана (SiH4) в камеру роста на зернах Au - Si, происходит распад на Si и H, с последующим проникновением Si в каплю. В процессе происходит Рисунок 13 — Схема методов роста КНН. 24 перенасыщение Si на границе раздела до кристаллизации Si, что приводит к росту КНН в длину. 1.5.2. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) В процессах CVD источником кремния служит газообразные соединения силан (SiH4) или тетрахлорид кремния (SiCl...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Федоров_Павел_Сергеевич_Оптические_свойства_структур.pdf2.85 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.