Отрывок: При подаче тетрахлорида кремния (SiCl4) или силана (SiH4) в камеру роста на зернах Au - Si, происходит распад на Si и H, с последующим проникновением Si в каплю. В процессе происходит Рисунок 13 — Схема методов роста КНН. 24 перенасыщение Si на границе раздела до кристаллизации Si, что приводит к росту КНН в длину. 1.5.2. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) В процессах CVD источником кремния служит газообразные соединения силан (SiH4) или тетрахлорид кремния (SiCl...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Федоров П. С. | ru |
dc.contributor.author | Карпеев С. В. | ru |
dc.contributor.author | Саноян А. Г. | ru |
dc.contributor.author | Минобрнауки России | ru |
dc.contributor.author | Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) | ru |
dc.contributor.author | Институт информатики | ru |
dc.contributor.author | математики и электроники | ru |
dc.coverage.spatial | коэффициент прозрачности | ru |
dc.coverage.spatial | коэффициент поглощения | ru |
dc.coverage.spatial | коэффициент отражения | ru |
dc.coverage.spatial | кремниевые нанонити | ru |
dc.coverage.spatial | химическое травление | ru |
dc.coverage.spatial | осаждение | ru |
dc.coverage.spatial | оптические свойства | ru |
dc.creator | Федоров П. С. | ru |
dc.date.issued | 2019 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\ВКР20190808105948 | ru |
dc.identifier.citation | Федоров, П. С. Оптические свойства структур на основе кремниевых нанонитей : вып. квалификац. работа по направлению подгот. "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / П. С. Федоров ; рук. работы С. В. Карпеев ; нормоконтролер А. Г. Саноян ; Минобрнауки России, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, математики и электроники, Фак. - Самаpа, 2019. - on-line | ru |
dc.description.abstract | Объектом исследования являются структуры с кремниевыми нанонитями, изготовленные при различных временах травления. Целью работы является исследование зависимости оптических свойств от геометрических параметров кремниевых нанонитей (КНН). Результаты данной дипломной работы могут быть использованы для разработки оптоэлектронных устройств на основе кремниевых нанонитей. | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 2,8 Мб) | ru |
dc.title | Оптические свойства структур на основе кремниевых нанонитей | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 29.29 | ru |
dc.subject.udc | 539.1 | ru |
dc.textpart | При подаче тетрахлорида кремния (SiCl4) или силана (SiH4) в камеру роста на зернах Au - Si, происходит распад на Si и H, с последующим проникновением Si в каплю. В процессе происходит Рисунок 13 — Схема методов роста КНН. 24 перенасыщение Si на границе раздела до кристаллизации Si, что приводит к росту КНН в длину. 1.5.2. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) В процессах CVD источником кремния служит газообразные соединения силан (SiH4) или тетрахлорид кремния (SiCl... | - |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Федоров_Павел_Сергеевич_Оптические_свойства_структур.pdf | 2.85 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.