Отрывок: Тогда, свободная энергия системы: F=−k B T ln(Z ), (10) Усреднение само по себе сложно, обычно нужно искать простой потенциал, чтобы сделать расчеты простыми. Только в некоторых особых случаях могут быть получены аналитические выражения для функции разбиения [13]. 1.10.2. Метод сплошного спектра Простейшая модель поверхности кристалла сводит материал к сплошной среде. Состояние системы тогда определяется высотой z (x , y ) над каждой точко...
Название : Моделирование процесса нормальной релаксации поверхности
Авторы/Редакторы : Белов А. А.
Агафонов А. Н.
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Институт информатики
математики и электроники
Дата публикации : 2020
Библиографическое описание : Белов, А. А. Моделирование процесса нормальной релаксации поверхности : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / А. А. Белов ; рук. работы А. Н. Агафонов ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, математики и электроники, Фак-т э. - Самара, 2020. - on-line
Аннотация : Объектом исследования в данной работе является одномерный случайпроцесса моделирования нормальной релаксации поверхности.Цель работы – построить модель процесса нормальной релаксацииповерхности посредством программного обеспечения SciLab.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20200914150347
Ключевые слова: межатомные потенциалы
моделирование процессов
релаксация поверхности
минимум потенциальной энергии
потенциал Леннарда-Джонса
генетические алгоритмы
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы




Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.