Отрывок: Тогда, свободная энергия системы: F=−k B T ln(Z ), (10) Усреднение само по себе сложно, обычно нужно искать простой потенциал, чтобы сделать расчеты простыми. Только в некоторых особых случаях могут быть получены аналитические выражения для функции разбиения [13]. 1.10.2. Метод сплошного спектра Простейшая модель поверхности кристалла сводит материал к сплошной среде. Состояние системы тогда определяется высотой z (x , y ) над каждой точко...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorБелов А. А.ru
dc.contributor.authorАгафонов А. Н.ru
dc.contributor.authorМинистерство науки и высшего образования Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorИнститут информатикиru
dc.contributor.authorматематики и электроникиru
dc.coverage.spatialмежатомные потенциалыru
dc.coverage.spatialмоделирование процессовru
dc.coverage.spatialрелаксация поверхностиru
dc.coverage.spatialминимум потенциальной энергииru
dc.coverage.spatialпотенциал Леннарда-Джонсаru
dc.coverage.spatialгенетические алгоритмыru
dc.creatorБелов А. А.ru
dc.date.issued2020ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20200914150347ru
dc.identifier.citationБелов, А. А. Моделирование процесса нормальной релаксации поверхности : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / А. А. Белов ; рук. работы А. Н. Агафонов ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, математики и электроники, Фак-т э. - Самара, 2020. - on-lineru
dc.description.abstractОбъектом исследования в данной работе является одномерный случайпроцесса моделирования нормальной релаксации поверхности.Цель работы – построить модель процесса нормальной релаксацииповерхности посредством программного обеспечения SciLab.ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 1,1 Мб)ru
dc.titleМоделирование процесса нормальной релаксации поверхностиru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti50.01ru
dc.subject.udc004.9ru
dc.textpartТогда, свободная энергия системы: F=−k B T ln(Z ), (10) Усреднение само по себе сложно, обычно нужно искать простой потенциал, чтобы сделать расчеты простыми. Только в некоторых особых случаях могут быть получены аналитические выражения для функции разбиения [13]. 1.10.2. Метод сплошного спектра Простейшая модель поверхности кристалла сводит материал к сплошной среде. Состояние системы тогда определяется высотой z (x , y ) над каждой точко...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы




Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.