Отрывок: Тогда, свободная энергия системы: F=−k B T ln(Z ), (10) Усреднение само по себе сложно, обычно нужно искать простой потенциал, чтобы сделать расчеты простыми. Только в некоторых особых случаях могут быть получены аналитические выражения для функции разбиения [13]. 1.10.2. Метод сплошного спектра Простейшая модель поверхности кристалла сводит материал к сплошной среде. Состояние системы тогда определяется высотой z (x , y ) над каждой точко...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Белов А. А. | ru |
dc.contributor.author | Агафонов А. Н. | ru |
dc.contributor.author | Министерство науки и высшего образования Российской Федерации | ru |
dc.contributor.author | Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) | ru |
dc.contributor.author | Институт информатики | ru |
dc.contributor.author | математики и электроники | ru |
dc.coverage.spatial | межатомные потенциалы | ru |
dc.coverage.spatial | моделирование процессов | ru |
dc.coverage.spatial | релаксация поверхности | ru |
dc.coverage.spatial | минимум потенциальной энергии | ru |
dc.coverage.spatial | потенциал Леннарда-Джонса | ru |
dc.coverage.spatial | генетические алгоритмы | ru |
dc.creator | Белов А. А. | ru |
dc.date.issued | 2020 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\ВКР20200914150347 | ru |
dc.identifier.citation | Белов, А. А. Моделирование процесса нормальной релаксации поверхности : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / А. А. Белов ; рук. работы А. Н. Агафонов ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, математики и электроники, Фак-т э. - Самара, 2020. - on-line | ru |
dc.description.abstract | Объектом исследования в данной работе является одномерный случайпроцесса моделирования нормальной релаксации поверхности.Цель работы – построить модель процесса нормальной релаксацииповерхности посредством программного обеспечения SciLab. | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 1,1 Мб) | ru |
dc.title | Моделирование процесса нормальной релаксации поверхности | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 50.01 | ru |
dc.subject.udc | 004.9 | ru |
dc.textpart | Тогда, свободная энергия системы: F=−k B T ln(Z ), (10) Усреднение само по себе сложно, обычно нужно искать простой потенциал, чтобы сделать расчеты простыми. Только в некоторых особых случаях могут быть получены аналитические выражения для функции разбиения [13]. 1.10.2. Метод сплошного спектра Простейшая модель поверхности кристалла сводит материал к сплошной среде. Состояние системы тогда определяется высотой z (x , y ) над каждой точко... | - |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Белов_Артем_Александрович_Моделирование_процесса_нормальной_релаксации.pdf | 1.17 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.