Отрывок: Аналитический метод предполагает указание области с равномерным легированием и рассчитывает глубину и число примесных атомов вне этой области, используя три вида функций – гауссову, линейную или функцию ошибок. Для трехмерного случая функция распределения примесей по Гауссу представляет собой следующее выражение: 31 (51) где Nd...
Название : Моделирование полевого транзистора с подзатворным диэлектриком из дисульфида молибдена
Авторы/Редакторы : Ерилкин А. А.
Агафонов А. Н.
Астапов В. Н.
Шишкина Д. А.
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Институт информатики
математики и электроники
Дата публикации : 2021
Библиографическое описание : Ерилкин, А. А. Моделирование полевого транзистора с подзатворным диэлектриком из дисульфида молибдена : вып. квалификац. работа по направлению подгот 03.04.01 (уровень магистратуры) / А. А. Ерилкин ; рук. работы А. Н. Агафонов ; рец. В. Н. Астапов ; нормоконтролер Д. А. Шишкина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т. - Самара, 2021. - on-line
Аннотация : Цель выпускной квалификационной работы (ВКР) – смоделировать полевой транзистор с подзатворным диэлектриком из дисульфида молибдена. Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи: 1) Проанализировать существующие аналитические модели полевых транзисторов. 2) Разработать модель транзистора наноразмерного масштаба в среде COMSOL Multiphysics. 3) Исследовать ее поведение при изменении температуры, приложенных напряжений, провести оптимизацию модели.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20210914143329
Ключевые слова: MOSFET, COMSOL
дисульфид молибдена
подзатворные диэлектрики
полевые транзисторы
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы




Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.