Отрывок: Аналитический метод предполагает указание области с равномерным легированием и рассчитывает глубину и число примесных атомов вне этой области, используя три вида функций – гауссову, линейную или функцию ошибок. Для трехмерного случая функция распределения примесей по Гауссу представляет собой следующее выражение: 31 (51) где Nd...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorЕрилкин А. А.ru
dc.contributor.authorАгафонов А. Н.ru
dc.contributor.authorАстапов В. Н.ru
dc.contributor.authorШишкина Д. А.ru
dc.contributor.authorМинистерство науки и высшего образования Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorИнститут информатикиru
dc.contributor.authorматематики и электроникиru
dc.coverage.spatialMOSFET, COMSOLru
dc.coverage.spatialдисульфид молибденаru
dc.coverage.spatialподзатворные диэлектрикиru
dc.coverage.spatialполевые транзисторыru
dc.creatorЕрилкин А. А.ru
dc.date.issued2021ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20210914143329ru
dc.identifier.citationЕрилкин, А. А. Моделирование полевого транзистора с подзатворным диэлектриком из дисульфида молибдена : вып. квалификац. работа по направлению подгот 03.04.01 (уровень магистратуры) / А. А. Ерилкин ; рук. работы А. Н. Агафонов ; рец. В. Н. Астапов ; нормоконтролер Д. А. Шишкина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т. - Самара, 2021. - on-lineru
dc.description.abstractЦель выпускной квалификационной работы (ВКР) – смоделировать полевой транзистор с подзатворным диэлектриком из дисульфида молибдена. Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи: 1) Проанализировать существующие аналитические модели полевых транзисторов. 2) Разработать модель транзистора наноразмерного масштаба в среде COMSOL Multiphysics. 3) Исследовать ее поведение при изменении температуры, приложенных напряжений, провести оптимизацию модели.ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 2,4 Мб)ru
dc.titleМоделирование полевого транзистора с подзатворным диэлектриком из дисульфида молибденаru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.03ru
dc.subject.udc621.382.3ru
dc.textpartАналитический метод предполагает указание области с равномерным легированием и рассчитывает глубину и число примесных атомов вне этой области, используя три вида функций – гауссову, линейную или функцию ошибок. Для трехмерного случая функция распределения примесей по Гауссу представляет собой следующее выражение: 31 (51) где Nd...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Ерилкин_Алексей_Андреевич_Моделирование_полевого_транзистора.pdf2.48 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.