Отрывок: 25 2 Приборы и техника эксперимента 2.1 Технология изготовления МДП-структур с фторсодержащими диэлектриками на различных полупроводниковых подложках Термическое резистивное испарение в вакууме является основным технологическим методом получения пленок фторидов РЗЭ. Испарение происходит при довольно высокой температуре, связанной с необходимостью обеспечения необходимого давления паров, из молибденовой или танталово...
Название : Методы оптимизации свойств МДП-структур с фторсодержащими диэлектриками
Авторы/Редакторы : Кропотов М. С.
Шалимова М. Б.
Министерство образования и науки России
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Естественнонаучный институт
Дата публикации : 2019
Библиографическое описание : Кропотов, М. С. Методы оптимизации свойств МДП-структур с фторсодержащими диэлектриками : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.03.02 "Физика" (уровень бакалавриата) / М. С. Кропотов ; рук. работы М. Б. Шалимова ; Минобрнауки России, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Физ. фак-т, Каф. физики тверд. тела и неравновес. систем. - Самара, 2019. - on-line
Аннотация : Объектом исследования данной выпускной квалификационной работы являются МДП-структуры с диэлектрическим слоем фторида тулия. Целью работы является анализ методов оптимизации свойств МДП-структур и устройств на их основе и исследование изменения параметров германиевых МДП-структур с диэлектрическим слоем фторида тулия под действием электрических полей.В качестве экспериментальных образцов использовались фторсодержащие диэлектрические пленки на монокристаллических подложках германия, подвергнутые различной химической обработке. Измерены высокочастотные вольт-фарадные характеристики получившихся МДП-структур с последующей оценкой и анализом влияния воздействия электрических полей на деградацию их параметров.Установлено, что подбор травителя соответствующего состава для обработки поверхности германия можно использовать в качестве метода контроля зарядового состояния МДП – структуры.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20191218142345
Ключевые слова: электрофизические свойства
фторосодержащие диэлектрики
полупроводниковые устройства
поверхностные явления
германий
соединения редкоземельных элементов
МДП-структуры
монокристаллические подложки германия
транзисторы
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Кропотов_Михаил_Сергеевич_Методы_оптимизации_свойств.pdf1.53 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.