Репозиторий Самарского университета

Отрывок: Одним из возможных токов утечки является «вы- званный стрессовым воздействием ток утечки» (SILC – stress-induced leakage current). Захват носителей положительного и отрицательного зарядов, описы- вается различными модельными представлениями. В механизме транспорта носителей заряда через диэлектрический слой в сильных электрических по- лях увеличивается их энергия, что приводит к возникновению горячих элек- тронов на хвосте р...

Название :	Изменение токов утечки МДП-структур с затворным high-k диэлектриком под действием внешних факторов
Авторы/Редакторы :	Филатова В. А. Шалимова М. Б. Министерство науки и высшего образования Российской Федерации Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) Естественнонаучный институт
Дата публикации :	2020
Библиографическое описание :	Филатова, В. А. Изменение токов утечки МДП-структур с затворным high-k диэлектриком под действием внешних факторов : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.03.02 "Физика" (уровень бакалавриата) / В. А. Филатова ; рук. работы М. Б. Шалимова ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак-т, Каф. физики т. - Самара, 2020. - on-line
Другие идентификаторы :	RU\НТБ СГАУ\ВКР20201127100333
Ключевые слова:	затворные high-k диэлектрики затворные структуры МДП-устройств прямое туннелирование токи утечки туннелирование по Фаулеру-Нордгейму механизмы захвата носителей заряда МДП-структуры
Располагается в коллекциях:	Выпускные квалификационные работы

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.