Отрывок: 1.3.4 Ионная масс-спектрометрия В ионном масс-спектрометре чаще всего применяют положительные ионы инертных газов, но в некоторых случаях также используются химически активные ионы. На выход вторичных ионов могут влиять химическая активность атомов мишени, масса первичных ионов, угол падения пучка на поверхность, угол приема выбитых ионов и состав мишени. Зависимость коэффициента выхода для чистых мишеней от атомного номера прояв...
Название : Исследование структуры, состава и дефектов интегральных микросхем
Авторы/Редакторы : Дубовая Е. С.
Мельников А. А.
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Естественнонаучный институт
Дата публикации : 2024
Библиографическое описание : Дубовая, Е. С. Исследование структуры, состава и дефектов интегральных микросхем : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 28.03.02 "Наноинженерия" (уровень бакалавриата), направленность (профиль) "Нанотехнологии и наноматериалы" / Е. С. Дубовая ; рук. работы А. А. Мельников ; нормоконтролер А. А. Мельников ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. - Самара, 2024. - 1 файл (5,4 Мб). - Текст : электронный
Аннотация : Объектом исследования являлась интегральная микросхема.Цель работы: изучить структуру, состав и дефекты интегральной микросхемы персонального компьютера с помощью электронного растрового микроскопа и энергодисперионного детектора. Выявить дефекты микросхемы, определить характер и причины образования дефектов. Вывод: В данной работе было проведено исследование структуры, состава и дефектов интегральной микросхемы персонального компьютера с помощью электронного микроскопа и энергодисперсионного детектора. Были выполнены замеры конструктивных элементов микросхемы. Выяснено, что основными материалами в данной микросхеме являются медь марки М1, припой оловянно-свинцовый ПОС60, соединительные проводники, изготовленные из золота. Подложка состоит из кремния.В результате исследования были обнаружены такие дефекты, как коррозия проводников, коррозия припоя, разрушение и нарушение контакта проводников, скол и трещины на корпусе микросхем, неравномерный слой припоя на поверхности проводника в месте контакта. Исследова
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Issledovanie-struktury-sostava-i-defektov-integralnyh-mikroshem-110052
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20240628145914
Ключевые слова: дефекты микросхем
интегральные микросхемы
микроэлектроника
персональные компьютеры
платы
электронная микроскопия
электронные растровые микроскопы
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы




Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.