Отрывок: 2.2.2 Методика проведения диффузии 𝑃 −𝑛- переход в образцах создавался диффузией фосфора из плёнки фосфор- ного диффузанта для стороны 𝑛-типа, а для стороны 𝑝-типа наносилась плёнка из борного диффузанта. Процесс диффузии для стороны p проходил 30 минут при температуре 1000±5∘C в среде аргон. При таком режиме диффузии глубина зале- гания p−n-перехода 0.2 мкм. Процесс диффузии для сто...
Название : Характеристики и параметры структур для ФЭП на основе пористого кремния : вып. квалификац. работа по направлению "Физика" (уровень бакалавриата)
Авторы/Редакторы : Шишкин И. А.
Латухина Н. В.
Министерство образования и науки Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Естественнонаучный институт
Дата публикации : 2018
Библиографическое описание : Шишкин, И. А. Характеристики и параметры структур для ФЭП на основе пористого кремния : вып. квалификац. работа по направлению "Физика" (уровень бакалавриата) / Шишкин Иван Александрович ; рук. работы Латухина Наталья Виленовна ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак. - Самара, 2018. - on-line
Аннотация : Работа включает в себя: 60 страниц,56 иллюстрация, 4 таблицы, 28 использованных источников. Объектом исследования данной работы являются структуры для создания фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) на основе пористого кремния с покрытиями и 3. Цель раб
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Harakteristiki-i-parametry-struktur-dlya-FEP-na-osnove-poristogo-kremniya-vyp-kvalifikac-rabota-po-napravleniu-Fizika-uroven-bakalavriata-78431
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20190423111918
Ключевые слова: коэффициент отражения
полупроводниковые фотоэлементы
пористый кремний
спектральная фоточувствительность
фотоэлектрические преобразователи (ФЭП)
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы




Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.