Отрывок: 2.2.2 Методика проведения диффузии 𝑃 −𝑛- переход в образцах создавался диффузией фосфора из плёнки фосфор- ного диффузанта для стороны 𝑛-типа, а для стороны 𝑝-типа наносилась плёнка из борного диффузанта. Процесс диффузии для стороны p проходил 30 минут при температуре 1000±5∘C в среде аргон. При таком режиме диффузии глубина зале- гания p−n-перехода 0.2 мкм. Процесс диффузии для сто...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorШишкин И. А.ru
dc.contributor.authorЛатухина Н. В.ru
dc.contributor.authorМинистерство образования и науки Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorЕстественнонаучный институтru
dc.coverage.spatialкоэффициент отраженияru
dc.coverage.spatialполупроводниковые фотоэлементыru
dc.coverage.spatialпористый кремнийru
dc.coverage.spatialфотоэлектрические преобразователи (ФЭП)ru
dc.coverage.spatialспектральная фоточувствительностьru
dc.creatorШишкин И. А.ru
dc.date.issued2018ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20190423111918ru
dc.identifier.citationШишкин, И. А. Характеристики и параметры структур для ФЭП на основе пористого кремния : вып. квалификац. работа по направлению "Физика" (уровень бакалавриата) / Шишкин Иван Александрович ; рук. работы Латухина Наталья Виленовна ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак. - Самара, 2018. - on-lineru
dc.description.abstractРабота включает в себя: 60 страниц,56 иллюстрация, 4 таблицы, 28 использованных источников. Объектом исследования данной работы являются структуры для создания фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) на основе пористого кремния с покрытиями и 3. Цель работы - исследование фотоэлектрических свойств структур на основе пористого кремния с покрытиями и 3 изготовленных по различным технологическим маршрутам. Получены и исследованы структуры, содержащие слои пористого кремния с использованием пленок фторида диспрозия и сульфида цинка. Проведены исследования изображений, полученных с электронного и зондового микроскопа, поверхностей изготовленных ФЭП. Измерены вольт-амперные характеристики, спектральные зависимости коэффициенты отражения и фоточувствительности образцов. Построена физико-математическая модель ФЭП с пористым кремием в пакете COMSOL Multiphysics. Результаты данной выпускной квалификационной работы могут быть использованы при разработке технологии создания многослойных структур для ФЭП на основе пористru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 7,6 Мб)ru
dc.titleХарактеристики и параметры структур для ФЭП на основе пористого кремнияru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti44.41.35ru
dc.subject.udc539.1ru
dc.subject.udc621.383ru
dc.textpart2.2.2 Методика проведения диффузии 𝑃 −𝑛- переход в образцах создавался диффузией фосфора из плёнки фосфор- ного диффузанта для стороны 𝑛-типа, а для стороны 𝑝-типа наносилась плёнка из борного диффузанта. Процесс диффузии для стороны p проходил 30 минут при температуре 1000±5∘C в среде аргон. При таком режиме диффузии глубина зале- гания p−n-перехода 0.2 мкм. Процесс диффузии для сто...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы




Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.