Отрывок: 4 Технология получения карбида кремния. Рассмотрим некоторые способы получения карбида кремния. Рост карбида кремния из паровой фазы – один из главных методов выращивания его монокристаллов достаточно крупных размеров. Идея этого метода достаточно проста и основывается на транспортировке паров исходного материала от сублимирующего источника, который поддерживается при темп...
Название : Гетероструктура карбид кремния на кремнии для солнечных элементов
Авторы/Редакторы : Танеев В. В.
Щербак А. В.
Министерство образования и науки Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Естественнонаучный институт
Дата публикации : 2018
Библиографическое описание : Танеев, В. В. Гетероструктура карбид кремния на кремнии для солнечных элементов : вып. квалификац. работа по направлению "Физика" (уровень бакалавриата) / В. В. Танеев ; рук. работы А. В. Щербак ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева, Естественнонауч. ин-т, Физ. фак-т., Каф. радиофизики, полупроводник. мик. - Самара, 2018. - on-line
Аннотация : Выпускная квалификационная работа включает в себя 56 страниц, 3главы, введение, заключение, 34 рисунка, 5 таблиц, 26 литературныхисточников.Объектом исследования являются структуры для фотоэлектрическихпреобразователей с пористым слоем.Предметом исследования являются оптические и электрофизическиепараметры исследуемых структур.Цель данной работы: определение влияния слоя пористого карбидакремния на электрофизические и оптические характеристикипреобразователей солнечной энергии.В первой главе рассмотрены основные процессы преобразованияэнергии оптического (солнечного) излучения в полупроводниковыхфотоэлектрических преобразователях. Подробно рассмотрены технологияполучения и свойства пористого кремния. Во второй главе рассмотреныспособы получения структур карбида кремния на пористом кремнии дляфотоэлектрических преобразователей. В третьей главе представленырезультаты экспериментальных исследований образцовфотопреобразователей с пористым слоем карбида кремния.Результаты данной работы могут быть
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20190423111700
Ключевые слова: карбид кремния
измерение поверхностного сопротивления
избыточные носители заряда
пористый кремний
фотоэлектрические преобразователи
технология получения
солнечные элементы
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Танеев_Вадим_Витальевич_ГЕТЕРОСТРУКТУРА_КАРБИД_КРЕМНИЯ.pdf6.52 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.