Отрывок: 4 Технология получения карбида кремния. Рассмотрим некоторые способы получения карбида кремния. Рост карбида кремния из паровой фазы – один из главных методов выращивания его монокристаллов достаточно крупных размеров. Идея этого метода достаточно проста и основывается на транспортировке паров исходного материала от сублимирующего источника, который поддерживается при темп...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorТанеев В. В.ru
dc.contributor.authorЩербак А. В.ru
dc.contributor.authorМинистерство образования и науки Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorЕстественнонаучный институтru
dc.coverage.spatialкарбид кремнияru
dc.coverage.spatialизмерение поверхностного сопротивленияru
dc.coverage.spatialизбыточные носители зарядаru
dc.coverage.spatialпористый кремнийru
dc.coverage.spatialфотоэлектрические преобразователиru
dc.coverage.spatialтехнология полученияru
dc.coverage.spatialсолнечные элементыru
dc.creatorТанеев В. В.ru
dc.date.issued2018ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20190423111700ru
dc.identifier.citationТанеев, В. В. Гетероструктура карбид кремния на кремнии для солнечных элементов : вып. квалификац. работа по направлению "Физика" (уровень бакалавриата) / В. В. Танеев ; рук. работы А. В. Щербак ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева, Естественнонауч. ин-т, Физ. фак-т., Каф. радиофизики, полупроводник. мик. - Самара, 2018. - on-lineru
dc.description.abstractВыпускная квалификационная работа включает в себя 56 страниц, 3главы, введение, заключение, 34 рисунка, 5 таблиц, 26 литературныхисточников.Объектом исследования являются структуры для фотоэлектрическихпреобразователей с пористым слоем.Предметом исследования являются оптические и электрофизическиепараметры исследуемых структур.Цель данной работы: определение влияния слоя пористого карбидакремния на электрофизические и оптические характеристикипреобразователей солнечной энергии.В первой главе рассмотрены основные процессы преобразованияэнергии оптического (солнечного) излучения в полупроводниковыхфотоэлектрических преобразователях. Подробно рассмотрены технологияполучения и свойства пористого кремния. Во второй главе рассмотреныспособы получения структур карбида кремния на пористом кремнии дляфотоэлектрических преобразователей. В третьей главе представленырезультаты экспериментальных исследований образцовфотопреобразователей с пористым слоем карбида кремния.Результаты данной работы могут бытьru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 6,4 Мб)ru
dc.titleГетероструктура карбид кремния на кремнии для солнечных элементовru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.29.31ru
dc.subject.udc621.383ru
dc.subject.udc539.1ru
dc.textpart4 Технология получения карбида кремния. Рассмотрим некоторые способы получения карбида кремния. Рост карбида кремния из паровой фазы – один из главных методов выращивания его монокристаллов достаточно крупных размеров. Идея этого метода достаточно проста и основывается на транспортировке паров исходного материала от сублимирующего источника, который поддерживается при темп...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Танеев_Вадим_Витальевич_ГЕТЕРОСТРУКТУРА_КАРБИД_КРЕМНИЯ.pdf6.52 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.