Отрывок: Концентрация дырок в p- Si достаточно высока (около 1014 - 1018 см−3 ), и в этом случае были сформированы наноразмерные поры. Концентрация дырок в n- Si очень мала (около 102-106 см−3), и поэтому возможно образование дырок из-за освещения подложки n- Si. Слои пористого кремния часто готовятся в составе HF: 𝐻2𝑂, HF: 𝐶2𝐻5𝑂𝐻, HF: 𝐶2𝐻5𝑂𝐻: 𝐻2𝑂, HF: 𝐻𝑁𝑂3, HF: 𝐻𝑁𝑂3 : 𝐻2𝑂. Изготовлен...
Название : Фотоэлектрические преобразователи на основе современных материалов
Авторы/Редакторы : Белоглазова В. И.
Карпеев С. В.
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Институт информатики
математики и электроники
Дата публикации : 2020
Библиографическое описание : Белоглазова, В. И. Фотоэлектрические преобразователи на основе современных материалов : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / В. И. Белоглазова ; рук. работы С. В. Карпеев ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский ун-т), Ин-т информатик. - Самара, 2020. - on-line
Аннотация : В работе рассматриваются наноструктуры с пористым слоем и кремниевыми нанонитями. Цель работы – изучение основных параметров солнечных элементов, содержащих наноструктурированный кремний. В результате работы было показано положительное влияние наноструктур на квантовую эффективность и фоточувствительность.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20200625131830
Ключевые слова: фотоэлектрические преобразователи
фоточувствительность
квантовая эффективность
пористый кремний
кремниевые нанонити
спектральные характеристики
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Белоглазова_Василиса_Игоревна_Фотоэлектрические_преобразователи_основе.pdf1.02 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.