Отрывок: Концентрация дырок в p- Si достаточно высока (около 1014 - 1018 см−3 ), и в этом случае были сформированы наноразмерные поры. Концентрация дырок в n- Si очень мала (около 102-106 см−3), и поэтому возможно образование дырок из-за освещения подложки n- Si. Слои пористого кремния часто готовятся в составе HF: 𝐻2𝑂, HF: 𝐶2𝐻5𝑂𝐻, HF: 𝐶2𝐻5𝑂𝐻: 𝐻2𝑂, HF: 𝐻𝑁𝑂3, HF: 𝐻𝑁𝑂3 : 𝐻2𝑂. Изготовлен...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorБелоглазова В. И.ru
dc.contributor.authorКарпеев С. В.ru
dc.contributor.authorМинистерство науки и высшего образования Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorИнститут информатикиru
dc.contributor.authorматематики и электроникиru
dc.coverage.spatialфотоэлектрические преобразователиru
dc.coverage.spatialфоточувствительностьru
dc.coverage.spatialквантовая эффективностьru
dc.coverage.spatialпористый кремнийru
dc.coverage.spatialкремниевые нанонитиru
dc.coverage.spatialспектральные характеристикиru
dc.creatorБелоглазова В. И.ru
dc.date.issued2020ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20200625131830ru
dc.identifier.citationБелоглазова, В. И. Фотоэлектрические преобразователи на основе современных материалов : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / В. И. Белоглазова ; рук. работы С. В. Карпеев ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский ун-т), Ин-т информатик. - Самара, 2020. - on-lineru
dc.description.abstractВ работе рассматриваются наноструктуры с пористым слоем и кремниевыми нанонитями. Цель работы – изучение основных параметров солнечных элементов, содержащих наноструктурированный кремний. В результате работы было показано положительное влияние наноструктур на квантовую эффективность и фоточувствительность.ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 1,0 Мб)ru
dc.titleФотоэлектрические преобразователи на основе современных материаловru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti44.41.35ru
dc.subject.udc539.1ru
dc.subject.udc621.383ru
dc.textpartКонцентрация дырок в p- Si достаточно высока (около 1014 - 1018 см−3 ), и в этом случае были сформированы наноразмерные поры. Концентрация дырок в n- Si очень мала (около 102-106 см−3), и поэтому возможно образование дырок из-за освещения подложки n- Si. Слои пористого кремния часто готовятся в составе HF: 𝐻2𝑂, HF: 𝐶2𝐻5𝑂𝐻, HF: 𝐶2𝐻5𝑂𝐻: 𝐻2𝑂, HF: 𝐻𝑁𝑂3, HF: 𝐻𝑁𝑂3 : 𝐻2𝑂. Изготовлен...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Белоглазова_Василиса_Игоревна_Фотоэлектрические_преобразователи_основе.pdf1.02 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.