Отрывок: 6) Исключая из (2.5) и (2.6) постоянные A и B, получим уравнение относительно γ : ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 2 22 2 2 2 0 02 2 a ttk tg k k ctg kγ γ γ γ −   + + = + +       (2.7) Уравнение (2.7) – трансцендентное, его решение возможно лишь с использованием численных методов. Результаты численное решения уравнения (2.7) для кремниевых подложек и слоев карбида кремния показаны на рисунках 2.9 и 2.10 соответственно. 18 Рисунок 2.9 –...
Название : Электрофизические параметры структур карбид кремния на кремнии в области сверхвысоких частот
Авторы/Редакторы : Хлутчина А. С.
Щербак А. В.
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Естественнонаучный институт
Дата публикации : 2022
Библиографическое описание : Хлутчина, А. С. Электрофизические параметры структур карбид кремния на кремнии в области сверхвысоких частот : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.03.02 Физика (уровень бакалавриата), направленность (профиль) «Физика» / А. С. Хлутчина ; рук. работы А. В. Щербак ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак., Каф. физики тве. - Самара, 2022. - 1 файл (3,2 Мб). - Текст : электронный
Аннотация : Выпускная работа включает в себя 33 страницы, 3 главы, введение, заключение, 20 рисунков, 47 литературных источников. Объектом исследования являются структуры карбид кремния на кремнии и карбид кремния на поликоре, получаемых методом эндотаксии и ВЧ магнетронного распыления. Предметом исследования являются электрофизические параметры исследуемых структур. Цель данной работы: экспериментально определить удельное сопротивление тонких пленок карбида кремния на монокристаллических (кремний, сапфир) и поликристаллических (поликор) подложках, полученные с помощью волновода, частично перекрытого образцом. В первой главе рассмотрены свойства и некоторые методы получения тонкопленочных структур карбида кремния. Вторая глава посвящена методам исследования электрофизических параметров полупроводниковых материалов. В третьей главе представлены результаты исследования структур карбид кремния на кремнии и поликоре. Результаты данной работы могут быть использованы в области разработки полупроводниковых микроэлектронных приб
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Elektrofizicheskie-parametry-struktur-karbid-kremniya-na-kremnii-v-oblasti-sverhvysokih-chastot-100002
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20221021115003
Ключевые слова: кремний
метод зндотаксии
сверхвысокие частоты
структуры карбид кремния
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Хлутчина_Анастасия_Сергеевна_Электрофизические_параметры_структур_карбид.pdf1.24 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.