Отрывок: Не смотря на столь широкий вид модификаций карбида кремния, только две из них применяются в полупроводниковых приборах 4H - SiC, 6H – SiC [12]. Ядерная энергетика. Благодаря устойчивости к воздействию неблагоприятных факторов карбид кремния нашѐл применение в ядерной энергетике. Он используется в качестве слоя из триструктурально - изотропного покрытия для элементов ядерного топлива. Так же из него изготавливаются пеналы для хранения и захоронения ядерных отхо...
Название : Датчик деформации на основе гетероструктуры SiС/Si
Авторы/Редакторы : Каяшева Л. А.
Чепурнов В. И.
Министерство образования и науки Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Дата публикации : 2017
Библиографическое описание : Каяшева, Л. А. Датчик деформации на основе гетероструктуры SiС/Si : вып. квалификац. работа по спец. "Физика" / Каяшева Любовь Андреевна ; рук. работы В. И. Чепурнов, допустил к защите В. В. Зайцев ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Физ. фак-т,. - Самара, 2017. - on-line
Аннотация : Выпускная квалификационная работа включает в себя: 55 страницы, 27 иллюстраций, 4 таблиц, 42 использованных источников и одна страница приложения. Объектом исследования данной работы является чувствительный элемент датчика деформации. Предметом данной работы является полупроводниковая гетероструктура SiC/Si с уникальными электрофизическими свойствами. Цель работы - исследование возможности использования гетероструктуры SiC/Si в качестве чувствительного элемента тензопреобразователя. Результат - показано, что для пленкт SiC на Si - подложке нельзя использовать вплавные контакты.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20190419154905
Ключевые слова: карбид кремния
гетероструктура SiC/Si
полупроводниковые гетероструктуры
тензопреобразователи
датчики деформации
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Каяшева_Любовь_Андреевна_Датчик_деформации_основе.pdf2.11 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.