Отрывок: Не смотря на столь широкий вид модификаций карбида кремния, только две из них применяются в полупроводниковых приборах 4H - SiC, 6H – SiC [12]. Ядерная энергетика. Благодаря устойчивости к воздействию неблагоприятных факторов карбид кремния нашѐл применение в ядерной энергетике. Он используется в качестве слоя из триструктурально - изотропного покрытия для элементов ядерного топлива. Так же из него изготавливаются пеналы для хранения и захоронения ядерных отхо...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorКаяшева Л. А.ru
dc.contributor.authorЧепурнов В. И.ru
dc.contributor.authorМинистерство образования и науки Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.coverage.spatialкарбид кремнияru
dc.coverage.spatialгетероструктура SiC/Siru
dc.coverage.spatialполупроводниковые гетероструктурыru
dc.coverage.spatialтензопреобразователиru
dc.coverage.spatialдатчики деформацииru
dc.creatorКаяшева Л. А.ru
dc.date.issued2017ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20190419154905ru
dc.identifier.citationКаяшева, Л. А. Датчик деформации на основе гетероструктуры SiС/Si : вып. квалификац. работа по спец. "Физика" / Каяшева Любовь Андреевна ; рук. работы В. И. Чепурнов, допустил к защите В. В. Зайцев ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Физ. фак-т,. - Самара, 2017. - on-lineru
dc.description.abstractВыпускная квалификационная работа включает в себя: 55 страницы, 27 иллюстраций, 4 таблиц, 42 использованных источников и одна страница приложения. Объектом исследования данной работы является чувствительный элемент датчика деформации. Предметом данной работы является полупроводниковая гетероструктура SiC/Si с уникальными электрофизическими свойствами. Цель работы - исследование возможности использования гетероструктуры SiC/Si в качестве чувствительного элемента тензопреобразователя. Результат - показано, что для пленкт SiC на Si - подложке нельзя использовать вплавные контакты.ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 2,1 Мб)ru
dc.titleДатчик деформации на основе гетероструктуры SiС/Siru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.59.49ru
dc.subject.udc621.317ru
dc.textpartНе смотря на столь широкий вид модификаций карбида кремния, только две из них применяются в полупроводниковых приборах 4H - SiC, 6H – SiC [12]. Ядерная энергетика. Благодаря устойчивости к воздействию неблагоприятных факторов карбид кремния нашѐл применение в ядерной энергетике. Он используется в качестве слоя из триструктурально - изотропного покрытия для элементов ядерного топлива. Так же из него изготавливаются пеналы для хранения и захоронения ядерных отхо...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Каяшева_Любовь_Андреевна_Датчик_деформации_основе.pdf2.11 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.