Отрывок: 8) Lhh LeheLhW V LL T T     21 210 ))1(1()1(     , (2.9) где H –подвижность носителей заряда; 0W – плотность потока СВЧ мощности, которая падает на границу проводящей среды; – коэффициент 24 поглощения электромагнитных волн; ...
Название : Чувствительный элемент датчика импульсной СВЧ мощности на основе структуры SiC на изоляторе
Авторы/Редакторы : Богомолов А. С.
Щербак А. В.
Зайцев В. В.
Министерство образования и науки России
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Дата публикации : 2017
Библиографическое описание : Богомолов, А. С. Чувствительный элемент датчика импульсной СВЧ мощности на основе структуры SiC на изоляторе : вып. квалификац. работа по направлению "Физика" / А. С. Богомолов ; рук. работы А. В. Щербак ; Минобрнауки России, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Физ. фак-т, Каф. радиофизики, полупроводник. микро- и наноэлектроники. - Самара, 2017. - on-line
Аннотация : Объектом исследования является радиоэлектрический эффект в структурах карбид кремния на изоляторе, получаемых методом магнетронного распыления, возникающий под действием импульсной СВЧ мощности. Предметом исследования являются образцы преобразователей уровня СВЧ мощности в ЭДС радиоэлектрического эффекта на основе структур карбида кремния на изоляторе. Цель данной работы: исследовать радиоэлектрический эффект, возникающий в структурах карбида кремния на изоляторе под действием импульсной СВЧ мощности и определить степень влияния термоэлектрического эффекта на величину радиоэдс.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20190419151251
Ключевые слова: радиоэлектрический эффект
эпитаксия
эффект Холла
карбид кремния
импульсная СВЧ мощность
магнетронное распыление
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы




Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.