Отрывок: 8) Lhh LeheLhW V LL T T     21 210 ))1(1()1(     , (2.9) где H –подвижность носителей заряда; 0W – плотность потока СВЧ мощности, которая падает на границу проводящей среды; – коэффициент 24 поглощения электромагнитных волн; ...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorБогомолов А. С.ru
dc.contributor.authorЩербак А. В.ru
dc.contributor.authorЗайцев В. В.ru
dc.contributor.authorМинистерство образования и науки Россииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.coverage.spatialрадиоэлектрический эффектru
dc.coverage.spatialэпитаксияru
dc.coverage.spatialэффект Холлаru
dc.coverage.spatialкарбид кремнияru
dc.coverage.spatialимпульсная СВЧ мощностьru
dc.coverage.spatialмагнетронное распылениеru
dc.creatorБогомолов А. С.ru
dc.date.issued2017ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20190419151251ru
dc.identifier.citationБогомолов, А. С. Чувствительный элемент датчика импульсной СВЧ мощности на основе структуры SiC на изоляторе : вып. квалификац. работа по направлению "Физика" / А. С. Богомолов ; рук. работы А. В. Щербак ; Минобрнауки России, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Физ. фак-т, Каф. радиофизики, полупроводник. микро- и наноэлектроники. - Самара, 2017. - on-lineru
dc.description.abstractОбъектом исследования является радиоэлектрический эффект в структурах карбид кремния на изоляторе, получаемых методом магнетронного распыления, возникающий под действием импульсной СВЧ мощности. Предметом исследования являются образцы преобразователей уровня СВЧ мощности в ЭДС радиоэлектрического эффекта на основе структур карбида кремния на изоляторе. Цель данной работы: исследовать радиоэлектрический эффект, возникающий в структурах карбида кремния на изоляторе под действием импульсной СВЧ мощности и определить степень влияния термоэлектрического эффекта на величину радиоэдс.ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 1,6 Мб)ru
dc.titleЧувствительный элемент датчика импульсной СВЧ мощности на основе структуры SiC на изолятореru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti29.29ru
dc.subject.udc537.311ru
dc.textpart8) Lhh LeheLhW V LL T T     21 210 ))1(1()1(     , (2.9) где H –подвижность носителей заряда; 0W – плотность потока СВЧ мощности, которая падает на границу проводящей среды; – коэффициент 24 поглощения электромагнитных волн; ...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Богомолов_Алексей_Сергеевич_Чувствительный_элемент_датчика_импульсной.pdf1.59 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.