Репозиторий Самарского университета

Отрывок: На этом принципе основан ме­ тод контроля приборов по т - характеристикам. Согласно этому методу ток контролируется в 17 дискретных точках в следующих поддиапазонах (рис.2): I (малые токи): к г 10 -ИСГ7А, П (средние токи): 3 • 10-7 * 10-4 А, Ш (большие токи): 3 • 10 4 %■ 10-2 А. По результатам измерений строятся т - характеристики и сравнива­ ются с идеализированной характеристикой (рис 1). согласно которой у совершенной полупроводниковой кремниевой структуры в поддиапазоне 1 коэф...

Название :	Контроль полупроводниковых диодов по m-параметру
Авторы/Редакторы :	Карпин, А.Н. Пиганов, М.Н. Бабин, С.А.
Ключевые слова :	контроль диодов m-параметр вольтамперной характеристики
Дата публикации :	1999
Издательство :	СГАУ
Библиографическое описание :	Карпин, А. Н. Контроль полупроводниковых диодов по m-параметру / А. Н. Карпин, М. Н. Пиганов, С. А. Бабин // Актуальные проблемы радиоэлектроники / Самар. гос. аэрокосм. ун-т; [под общ. ред. Ю. Ф. Широкова]. – Самара : СГАУ, 1999. – Вып. 2. – С. 58-62.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) :	http://repo.ssau.ru/handle/Vestnik-SGAU-Aktualnye-problemy-radioelektroniki/Kontrol-poluprovodnikovyh-diodov-po-mparametru-65230
Другие идентификаторы :	Dspace\SGAU\20170911\65230
Располагается в коллекциях:	Вестник СГАУ. Актуальные проблемы радиоэлектроники

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.