Отрывок: результаты показывают, что депассивация дефектов на границе раздела Si/SiO2 должна бы пройти через стадии, когда положительно заряженное образование водорода выходит из оставшегося отрицательно заряженного дефекта на границе раздела. В работе [16] была использована возможность многократного переключения структур из диэлектрического состояния в пров...
Название : | Влияние температуры внешней среды на электронные явления в структурах металл-диэлектрик-полупроводник с фторидами редкоземельных элементов |
Авторы/Редакторы : | Низамова А. Р. Шалимова М. Б. Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) |
Дата публикации : | 2016 |
Библиографическое описание : | Низамова, А. Р. Влияние температуры внешней среды на электронные явления в структурах металл-диэлектрик-полупроводник с фторидами редкоземельных элементов : вып. квалификац. работа по спец. "Физика" / А. Р. Низамова ; рук. работы М. Б. Шалимова ; Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Физич. фак-т, Каф. радиофизика, полупроводник. микро- и наноэлектроники. - Самара, 2016. - on-line |
Аннотация : | Выпускная квалификационная работа содержит 41 страницу, 19 литературных источников, 30 иллюстраций и одно приложение.В работе исследуется германиевые структуры металл – диэлектрик – полупроводник, где в качестве диэлектрика выступает фторид церия. Провод |
Другие идентификаторы : | RU\НТБ СГАУ\ВКР20161117112458 |
Ключевые слова: | температура внешней среды диэлектрики МДП- структуры с пленками фторида церия МДП-устройства металл-диэлектрик-полупроводники редкоземельные элементы |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Низамова_Александра_Равшановна_Влияние_температуры_внешней_среды.pdf | 3.65 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.