Отрывок: результаты показывают, что депассивация дефектов на границе раздела Si/SiO2 должна бы пройти через стадии, когда положительно заряженное образование водорода выходит из оставшегося отрицательно заряженного дефекта на границе раздела. В работе [16] была использована возможность многократного переключения структур из диэлектрического состояния в пров...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Низамова А. Р. | ru |
dc.contributor.author | Шалимова М. Б. | ru |
dc.contributor.author | Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) | ru |
dc.coverage.spatial | температура внешней среды | ru |
dc.coverage.spatial | диэлектрики | ru |
dc.coverage.spatial | МДП- структуры с пленками фторида церия | ru |
dc.coverage.spatial | МДП-устройства | ru |
dc.coverage.spatial | металл-диэлектрик-полупроводники | ru |
dc.coverage.spatial | редкоземельные элементы | ru |
dc.creator | Низамова А. Р. | ru |
dc.date.issued | 2016 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\ВКР20161117112458 | ru |
dc.identifier.citation | Низамова, А. Р. Влияние температуры внешней среды на электронные явления в структурах металл-диэлектрик-полупроводник с фторидами редкоземельных элементов : вып. квалификац. работа по спец. "Физика" / А. Р. Низамова ; рук. работы М. Б. Шалимова ; Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Физич. фак-т, Каф. радиофизика, полупроводник. микро- и наноэлектроники. - Самара, 2016. - on-line | ru |
dc.description.abstract | Выпускная квалификационная работа содержит 41 страницу, 19 литературных источников, 30 иллюстраций и одно приложение.В работе исследуется германиевые структуры металл – диэлектрик – полупроводник, где в качестве диэлектрика выступает фторид церия. Провод | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 3,6 Мб) | ru |
dc.title | Влияние температуры внешней среды на электронные явления в структурах металл-диэлектрик-полупроводник с фторидами редкоземельных элементов | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 47.33 | ru |
dc.subject.udc | 537.311 | ru |
dc.textpart | результаты показывают, что депассивация дефектов на границе раздела Si/SiO2 должна бы пройти через стадии, когда положительно заряженное образование водорода выходит из оставшегося отрицательно заряженного дефекта на границе раздела. В работе [16] была использована возможность многократного переключения структур из диэлектрического состояния в пров... | - |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Низамова_Александра_Равшановна_Влияние_температуры_внешней_среды.pdf | 3.65 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.