Отрывок: результаты показывают, что депассивация дефектов на границе раздела Si/SiO2 должна бы пройти через стадии, когда положительно заряженное образование водорода выходит из оставшегося отрицательно заряженного дефекта на границе раздела. В работе [16] была использована возможность многократного переключения структур из диэлектрического состояния в пров...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorНизамова А. Р.ru
dc.contributor.authorШалимова М. Б.ru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.coverage.spatialтемпература внешней средыru
dc.coverage.spatialдиэлектрикиru
dc.coverage.spatialМДП- структуры с пленками фторида церияru
dc.coverage.spatialМДП-устройстваru
dc.coverage.spatialметалл-диэлектрик-полупроводникиru
dc.coverage.spatialредкоземельные элементыru
dc.creatorНизамова А. Р.ru
dc.date.issued2016ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20161117112458ru
dc.identifier.citationНизамова, А. Р. Влияние температуры внешней среды на электронные явления в структурах металл-диэлектрик-полупроводник с фторидами редкоземельных элементов : вып. квалификац. работа по спец. "Физика" / А. Р. Низамова ; рук. работы М. Б. Шалимова ; Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Физич. фак-т, Каф. радиофизика, полупроводник. микро- и наноэлектроники. - Самара, 2016. - on-lineru
dc.description.abstractВыпускная квалификационная работа содержит 41 страницу, 19 литературных источников, 30 иллюстраций и одно приложение.В работе исследуется германиевые структуры металл – диэлектрик – полупроводник, где в качестве диэлектрика выступает фторид церия. Проводru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 3,6 Мб)ru
dc.titleВлияние температуры внешней среды на электронные явления в структурах металл-диэлектрик-полупроводник с фторидами редкоземельных элементовru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.33ru
dc.subject.udc537.311ru
dc.textpartрезультаты показывают, что депассивация дефектов на границе раздела Si/SiO2 должна бы пройти через стадии, когда положительно заряженное образование водорода выходит из оставшегося отрицательно заряженного дефекта на границе раздела. В работе [16] была использована возможность многократного переключения структур из диэлектрического состояния в пров...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы




Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.