Отрывок: результаты показывают, что депассивация дефектов на границе раздела Si/SiO2 должна бы пройти через стадии, когда положительно заряженное образование водорода выходит из оставшегося отрицательно заряженного дефекта на границе раздела. В работе [16] была использована возможность многократного переключения структур из диэлектрического состояния в пров...
Название : Влияние температуры внешней среды на электронные явления в структурах металл-диэлектрик-полупроводник с фторидами редкоземельных элементов
Авторы/Редакторы : Низамова А. Р.
Шалимова М. Б.
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Дата публикации : 2016
Библиографическое описание : Низамова, А. Р. Влияние температуры внешней среды на электронные явления в структурах металл-диэлектрик-полупроводник с фторидами редкоземельных элементов : вып. квалификац. работа по спец. "Физика" / А. Р. Низамова ; рук. работы М. Б. Шалимова ; Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Физич. фак-т, Каф. радиофизика, полупроводник. микро- и наноэлектроники. - Самара, 2016. - on-line
Аннотация : Выпускная квалификационная работа содержит 41 страницу, 19 литературных источников, 30 иллюстраций и одно приложение.В работе исследуется германиевые структуры металл – диэлектрик – полупроводник, где в качестве диэлектрика выступает фторид церия. Провод
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20161117112458
Ключевые слова: температура внешней среды
диэлектрики
МДП- структуры с пленками фторида церия
МДП-устройства
металл-диэлектрик-полупроводники
редкоземельные элементы
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Низамова_Александра_Равшановна_Влияние_температуры_внешней_среды.pdf3.65 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.