Отрывок: При подаче на ПДС смещающего напряжения колебательный контур ИП, исследуемая структура и устройство коммутации оказываются под разными потенциалами. Поскольку добротность колебательного контура мала, в нем возникают собственные колебания, которые не позволяют наблюдать релаксацию емкости ПДС в течение всего переходного процесса. Кроме того, переходные процессы в колебательном контуре могут влиять на работу...
Название : Устройство контроля качества полупроводниковых структур
Авторы/Редакторы : Холод Н. В.
Иванов В. В.
Глазунов В. А.
Министерство образования и науки Российской Федерации
Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева (национальный исследовательский университет) (СГАУ)
Институт электроники и приборостроения
Кафедра конструирования и технологии электронных систем и устройств
Дата публикации : 2016
Библиографическое описание : Холод, Н. В. Устройство контроля качества полупроводниковых структур : вып. квалификац. работа по специальности "Проектирование и технология радиоэлектрон. средств" / Н. В. Холод ; рук. работы В. В. Иванов ; рец. В. А. Глазунов ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (нац. исслед. ун-т) (СГАУ), Ин-т электроники и при. - Самара, 2016. - on-line
Аннотация : В данном дипломном проекте, на основе теоретических расчетов, предложена методика определения энергии ионизации глубоких уровней (ГУ) захвата в полупроводниковых структурах. Создана структурная схема установки, позволяющая автоматизировать процесс измерен
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20160419121411
Ключевые слова: полупроводниковая диодная структура
устройство коммутации
измерительные преобразователи
дефекты в полупроводниках
надежность
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Холод_Устройство_контроля_качества_полупроводниковых.pdf1.59 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.