Отрывок: При подаче на ПДС смещающего напряжения колебательный контур ИП, исследуемая структура и устройство коммутации оказываются под разными потенциалами. Поскольку добротность колебательного контура мала, в нем возникают собственные колебания, которые не позволяют наблюдать релаксацию емкости ПДС в течение всего переходного процесса. Кроме того, переходные процессы в колебательном контуре могут влиять на работу...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorХолод Н. В.ru
dc.contributor.authorИванов В. В.ru
dc.contributor.authorГлазунов В. А.ru
dc.contributor.authorМинистерство образования и науки Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева (национальный исследовательский университет) (СГАУ)ru
dc.contributor.authorИнститут электроники и приборостроенияru
dc.contributor.authorКафедра конструирования и технологии электронных систем и устройствru
dc.coverage.spatialполупроводниковая диодная структураru
dc.coverage.spatialустройство коммутацииru
dc.coverage.spatialизмерительные преобразователиru
dc.coverage.spatialдефекты в полупроводникахru
dc.coverage.spatialнадежностьru
dc.creatorХолод Н. В.ru
dc.date.issued2016ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20160419121411ru
dc.identifier.citationХолод, Н. В. Устройство контроля качества полупроводниковых структур : вып. квалификац. работа по специальности "Проектирование и технология радиоэлектрон. средств" / Н. В. Холод ; рук. работы В. В. Иванов ; рец. В. А. Глазунов ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (нац. исслед. ун-т) (СГАУ), Ин-т электроники и при. - Самара, 2016. - on-lineru
dc.description.abstractВ данном дипломном проекте, на основе теоретических расчетов, предложена методика определения энергии ионизации глубоких уровней (ГУ) захвата в полупроводниковых структурах. Создана структурная схема установки, позволяющая автоматизировать процесс измеренru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 1,6 Мб)ru
dc.titleУстройство контроля качества полупроводниковых структурru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.03ru
dc.subject.udc621.382ru
dc.textpartПри подаче на ПДС смещающего напряжения колебательный контур ИП, исследуемая структура и устройство коммутации оказываются под разными потенциалами. Поскольку добротность колебательного контура мала, в нем возникают собственные колебания, которые не позволяют наблюдать релаксацию емкости ПДС в течение всего переходного процесса. Кроме того, переходные процессы в колебательном контуре могут влиять на работу...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Холод_Устройство_контроля_качества_полупроводниковых.pdf1.59 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.