Отрывок:
Название : Моделирование процесса осаждения тонких металлических пленок на диэлектрическое основание
Авторы/Редакторы : Егоров Е.В.
Архипов А. В.
Лофицкий И. В.
Министерство образования и науки Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Институт электроники и приборостроения
Дата публикации : 2016
Библиографическое описание : Егоров, Е.В. Моделирование процесса осаждения тонких металлических пленок на диэлектрическое основание : вып. квалификац. работа по спец. "Электроника и наноэлектроника" / Е. В. Егоров ; рук. работы А. В. Архипов; рец. И. В. Лофицкий ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т электроники и приборостроения,. - Самара, 2016. - on-line
Аннотация : В работе рассматривается компьютерное моделирование управляемого технологического процесса роста тонких пленок алюминия, заданной структуры, на диэлектрической подложке. Показана целесообразность использования метода вероятностного клеточного автомата для моделирования.Оценены вероятности протекания элементарных физико-химических процессов. Разработана физическая модель роста и описаны основные механизмы процесса формирования тонких пленок алюминия. Разработаны некоторые программные продукты, описывающие процесс роста тонкопленочной металлизации интегральных микросхем в условиях стандартного процесса осаждения с использованием метода вероятностного клеточного автомата.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20160914145141
Ключевые слова: технологические процессы
осаждение тонких металлических пленок
компьютерное моделирование
диэлектрическое основание
вероятностный клеточный автомат (ВКА)
рост тонких пленок
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Егоров_Евгений_Викторович_Моделирование_процесса_осаждения_тонких.pdf855.25 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.