Отрывок:
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorЕгоров Е.В.ru
dc.contributor.authorАрхипов А. В.ru
dc.contributor.authorЛофицкий И. В.ru
dc.contributor.authorМинистерство образования и науки Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorИнститут электроники и приборостроенияru
dc.coverage.spatialтехнологические процессыru
dc.coverage.spatialосаждение тонких металлических пленокru
dc.coverage.spatialкомпьютерное моделированиеru
dc.coverage.spatialдиэлектрическое основаниеru
dc.coverage.spatialвероятностный клеточный автомат (ВКА)ru
dc.coverage.spatialрост тонких пленокru
dc.creatorЕгоров Е.В.ru
dc.date.issued2016ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20160914145141ru
dc.identifier.citationЕгоров, Е.В. Моделирование процесса осаждения тонких металлических пленок на диэлектрическое основание : вып. квалификац. работа по спец. "Электроника и наноэлектроника" / Е. В. Егоров ; рук. работы А. В. Архипов; рец. И. В. Лофицкий ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т электроники и приборостроения,. - Самара, 2016. - on-lineru
dc.description.abstractВ работе рассматривается компьютерное моделирование управляемого технологического процесса роста тонких пленок алюминия, заданной структуры, на диэлектрической подложке. Показана целесообразность использования метода вероятностного клеточного автомата для моделирования.Оценены вероятности протекания элементарных физико-химических процессов. Разработана физическая модель роста и описаны основные механизмы процесса формирования тонких пленок алюминия. Разработаны некоторые программные продукты, описывающие процесс роста тонкопленочной металлизации интегральных микросхем в условиях стандартного процесса осаждения с использованием метода вероятностного клеточного автомата.ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 0,8 Мб)ru
dc.titleМоделирование процесса осаждения тонких металлических пленок на диэлектрическое основаниеru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti29.29ru
dc.subject.rugasnti50.01ru
dc.subject.udc539.1ru
dc.subject.udc004.4ru
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Егоров_Евгений_Викторович_Моделирование_процесса_осаждения_тонких.pdf855.25 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.