Отрывок: • Приповерхностная область объемного заряда в полупроводниках может быть обеднена (запорный слой) или обогащена основными носите лями зарядов (зависит от того, какие носители зарядов приходят (уходят) в полупроводник в процессе установления термодинамического равнове сия). • На участке, соответствующем приповерхностной области объемно го за...
Название : | Физико-технические основы устройств микроэлектроники |
Авторы/Редакторы : | Еремина И. Н. Саноян А. Г. Федеральное агентство по образованию Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева |
Дата публикации : | 2008 |
Издательство : | [Изд-во СГАУ] |
Библиографическое описание : | Еремина, И. Н. Физико-технические основы устройств микроэлектроники [Электронный ресурс] : [учеб.- метод. пособие] / И. Н. Еремина, А. Г. Саноян ; Федер. агентство по образованию, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева. - Самара : [Изд-во СГАУ], 2008. - on-line. - ISBN = 978-5-7883-0662-9 |
Аннотация : | Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия) Используемые программы: Adobe Acrobat |
ISBN : | 978-5-7883-0662-9 |
Другие идентификаторы : | RU/НТБ СГАУ/WALL/СГАУ:6/Е 702-121965 |
Ключевые слова: | нанотехнологии макроскопические системы микротехнологии твердотельные структуры контактные явления методы статистической физики устройства микроэлектроники поверхностные явления показатели качества энтропийные методы |
Располагается в коллекциях: | Учебные издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Еремина И.Н. Физико-технические.pdf | from 1C | 21.19 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.