Отрывок: • Приповерхностная область объемного заряда в полупроводниках может быть обеднена (запорный слой) или обогащена основными носите­ лями зарядов (зависит от того, какие носители зарядов приходят (уходят) в полупроводник в процессе установления термодинамического равнове­ сия). • На участке, соответствующем приповерхностной области объемно­ го за...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorЕремина И. Н.ru
dc.contributor.authorСаноян А. Г.ru
dc.contributor.authorФедеральное агентство по образованиюru
dc.contributor.authorСамарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королеваru
dc.coverage.spatialнанотехнологииru
dc.coverage.spatialмакроскопические системыru
dc.coverage.spatialмикротехнологииru
dc.coverage.spatialтвердотельные структурыru
dc.coverage.spatialконтактные явленияru
dc.coverage.spatialметоды статистической физикиru
dc.coverage.spatialустройства микроэлектроникиru
dc.coverage.spatialповерхностные явленияru
dc.coverage.spatialпоказатели качестваru
dc.coverage.spatialэнтропийные методыru
dc.creatorЕремина И. Н., Саноян А. Г.ru
dc.date.issued2008ru
dc.identifierRU/НТБ СГАУ/WALL/СГАУ:6/Е 702-121965ru
dc.identifier.citationЕремина, И. Н. Физико-технические основы устройств микроэлектроники [Электронный ресурс] : [учеб.- метод. пособие] / И. Н. Еремина, А. Г. Саноян ; Федер. агентство по образованию, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева. - Самара : [Изд-во СГАУ], 2008. - on-line. - ISBN = 978-5-7883-0662-9ru
dc.identifier.isbn978-5-7883-0662-9ru
dc.description.abstractТруды сотрудников СГАУ (электрон. версия)ru
dc.description.abstractИспользуемые программы: Adobe Acrobatru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 20,6 Мбайт)ru
dc.language.isorusru
dc.publisher[Изд-во СГАУ]ru
dc.relation.isformatofФизико-технические основы устройств микроэлектроники [Текст] : [учеб.- метод. пособие]ru
dc.titleФизико-технические основы устройств микроэлектроникиru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.01.33ru
dc.subject.udcСГАУ:6(075)ru
dc.subject.udc621.382.049.77(075)ru
dc.textpart• Приповерхностная область объемного заряда в полупроводниках может быть обеднена (запорный слой) или обогащена основными носите­ лями зарядов (зависит от того, какие носители зарядов приходят (уходят) в полупроводник в процессе установления термодинамического равнове­ сия). • На участке, соответствующем приповерхностной области объемно­ го за...-
Располагается в коллекциях: Учебные издания

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
Еремина И.Н. Физико-технические.pdffrom 1C21.19 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.