Отрывок: • Приповерхностная область объемного заряда в полупроводниках может быть обеднена (запорный слой) или обогащена основными носите­ лями зарядов (зависит от того, какие носители зарядов приходят (уходят) в полупроводник в процессе установления термодинамического равнове­ сия). • На участке, соответствующем приповерхностной области объемно­ го за...
Название : Физико-технические основы устройств микроэлектроники [Электронный ресурс] : [учеб.- метод. пособие]
Авторы/Редакторы : Еремина И. Н.
Саноян А. Г.
Федеральное агентство по образованию
Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева
Дата публикации : 2008
Издательство : Изд-во СГАУ
Аннотация : Используемые программы: Adobe Acrobat
Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия)
ISBN : 978-5-7883-0662-9
Другие идентификаторы : RU/НТБ СГАУ/WALL/СГАУ:6/Е 702-121965
Ключевые слова: поверхностные явления
нанотехнологии
микротехнологии
методы статистической физики
контактные явления
макроскопические системы
энтропийные методы
устройства микроэлектроники
показатели качества
твердотельные структуры
Располагается в коллекциях: Учебные издания

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
Еремина И.Н. Физико-технические.pdffrom 1C21.19 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.