Отрывок: • Приповерхностная область объемного заряда в полупроводниках может быть обеднена (запорный слой) или обогащена основными носите­ лями зарядов (зависит от того, какие носители зарядов приходят (уходят) в полупроводник в процессе установления термодинамического равнове­ сия). • На участке, соответствующем приповерхностной области объемно­ го за...
Название : Физико-технические основы устройств микроэлектроники
Авторы/Редакторы : Еремина И. Н.
Саноян А. Г.
Федеральное агентство по образованию
Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева
Дата публикации : 2008
Издательство : [Изд-во СГАУ]
Библиографическое описание : Еремина, И. Н. Физико-технические основы устройств микроэлектроники [Электронный ресурс] : [учеб.- метод. пособие] / И. Н. Еремина, А. Г. Саноян ; Федер. агентство по образованию, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева. - Самара : [Изд-во СГАУ], 2008. - on-line. - ISBN = 978-5-7883-0662-9
Аннотация : Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия)
Используемые программы: Adobe Acrobat
ISBN : 978-5-7883-0662-9
Другие идентификаторы : RU/НТБ СГАУ/WALL/СГАУ:6/Е 702-121965
Ключевые слова: нанотехнологии
макроскопические системы
микротехнологии
твердотельные структуры
контактные явления
методы статистической физики
устройства микроэлектроники
поверхностные явления
показатели качества
энтропийные методы
Располагается в коллекциях: Учебные издания

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
Еремина И.Н. Физико-технические.pdffrom 1C21.19 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.