Отрывок: В этом случае если стержень выполнен из кремния, а его сечение располагается в кристаллографической плоскости 111, то плоскость сечения проходит вдоль диагоналей куба, образуя равносторонний треуголь­ ник. Следовательно, при наличии такого отклонения при селективном травле­ нии пластин на их поверхности образуются ямки травления в виде равнобед­ ренного треугольника или трапеций. По степени отклонения фигур от правиль­ ной геометрической формы предлагается осуществлять оценк...
Название : Исследование корелляции параметров кристалла и режимов процесса разрезания полупроводниковых стержней на пластины
Авторы/Редакторы : Рогова А. С.
Колпаков А. И.
Дата публикации : 2005
Библиографическое описание : Рогова, А. С. Исследование корелляции параметров кристалла и режимов процесса разрезания полупроводниковых стержней на пластины / А. С. Рогова ; науч. руководитель А. И. Колпаков // VIII Королевские чтения: Всерос. молодежн. науч. конф. с междунар. участием, 4-6 окт. 2005 г. : сб. тр. / М-во образования и науки Рос. Федерации; Федер. агентство по образованию; Адм. Самар. обл.; Самар. науч. центр Рос. акад. наук; Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева; Гос. науч.-произв. ракет.- косм. центр "ЦСКБ - Прогресс"; ред. И. В. Белоконов. - Самаpа : СГАУ, 2005. - С. 260.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\458711
Ключевые слова: разрезание на пластины
разрезание полупроводниковых стержней
алмазоподобные полупроводники
физико-математические модели
корреляция параметров кристалла
кристаллографические параметры поверхности пластины
кристаллы
пластины кремния КЭФ-32
параметры кристаллов
Располагается в коллекциях: Королевские чтения

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Стр. 260.pdf54.19 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.