Отрывок: Чипы с образцами были изучены с помощью экспериментального стенда, реализующий данный метод, который состоит из: полупроводникового лазера LML-785.0RB-04, оптического КР модуля PBL 785, спектрографа Shamrock SR-500i- D1-R с интегрированной цифровой камерой ANDOR DU416A-LDC-DD и компьютера. Параметры измерительной камеры выбирались экспериментальным путём, с учетом того, что параболические поверхности позволяют отражать лучи параллельно оптической оси в направлении ...
Название : | ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКЕРИСТИК ПОВЕРХНОСТНОГО СЛОЯ РЕФЛЕКТОРА LAB-ON-CHIP СИСТЕМЫ ДЛЯ ЭФФЕКТИВНОЙ РЕГИСТРАЦИИ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ |
Авторы/Редакторы : | Мамбетова, И. Б. Артемьев, Д. Н. Братченко, И. А. |
Дата публикации : | 2017 |
Библиографическое описание : | Мамбетова, И. Б. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКЕРИСТИК ПОВЕРХНОСТНОГО СЛОЯ РЕФЛЕКТОРА LAB-ON-CHIP СИСТЕМЫ ДЛЯ ЭФФЕКТИВНОЙ РЕГИСТРАЦИИ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ / И. Б. Мамбетова, Д. Н. Артемьев, И. А. Братченко // Международная молодежная научная конференция «XIV Королевские чтения», посвященная 110-летию со дня рождения академика С. П. Королева, 75-летию КуАИ-СГАУ-СамГУ-Самарского университета и 60-летию со дня запуска первого искусственного спутника Земли. Т. 2. [электронный ресурс]: сб. тр./ М-во образования и науки Рос. Федерации; Самар. нац. исслед. ун-т им. акад. С. П. Королева. − Самара: Изд-во Самар. ун-та, 2017. – С. 169-170. |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : | http://repo.ssau.ru/handle/Mezhdunarodnaya-molodezhnaya-nauchnaya-konferenciya-Korolevskie-chteniya/ISSLEDOVANIE-HARAKERISTIK-POVERHNOSTNOGO-SLOYa-REFLEKTORA-LABONCHIP-SISTEMY-DLYa-EFFEKTIVNOI-REGISTRACII-KOMBINACIONNOGO-RASSEYaNIYa-69049 |
Другие идентификаторы : | Dspace\SGAU\20180511\69049 |
УДК: | 543.424.2 |
Располагается в коллекциях: | Королевские чтения |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
94 .pdf | Основная статья | 905.14 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.