Отрывок: С повышением температуры некоторое количество электронов покидает валентную зону и переходит в зону проводимости. Распределение электронов и дырок по энергиям в соответствующих зонах полупроводника описывается статистикой Ферми – Дирака, характеризую- щей вероятность того, что состояние с энергией E при температуре Т занято электроном (дыркой): ...
Название : Определение параметров полупроводников
Авторы/Редакторы : Колпаков А. И.
Колпаков В. А.
Кричевский С. В.
Федеральное агентство по образованию
Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева (Национальный исследовательский университет)
Дата публикации : 2010
Издательство : [Изд-во СГАУ]
Библиографическое описание : Определение параметров полупроводников [Электронный ресурс] : [метод. указания к лаб. работе] / Федер. агентство по образованию, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (Нац. исслед. ун-т) ; [сост. А. И. Колпаков и др.]. - Самара : [Изд-во СГАУ], 2010. - on-line
Аннотация : Используемые программы: Adobe Acrobat
Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия)
Другие идентификаторы : RU/НТБ СГАУ/WALL/СГАУ:6/О-624-383799
Ключевые слова: электронные приборы
физика полупроводников
полупроводники
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
Колпаков В.А. Определение параметров.pdffrom 1C563.48 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.