Отрывок: С повышением температуры некоторое количество электронов покидает валентную зону и переходит в зону проводимости. Распределение электронов и дырок по энергиям в соответствующих зонах полупроводника описывается статистикой Ферми – Дирака, характеризую- щей вероятность того, что состояние с энергией E при температуре Т занято электроном (дыркой): ...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Колпаков А. И. | ru |
dc.contributor.author | Колпаков В. А. | ru |
dc.contributor.author | Кричевский С. В. | ru |
dc.contributor.author | Федеральное агентство по образованию | ru |
dc.contributor.author | Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева (Национальный исследовательский университет) | ru |
dc.coverage.spatial | электронные приборы | ru |
dc.coverage.spatial | физика полупроводников | ru |
dc.coverage.spatial | полупроводники | ru |
dc.date.issued | 2010 | ru |
dc.identifier | RU/НТБ СГАУ/WALL/СГАУ:6/О-624-383799 | ru |
dc.identifier.citation | Определение параметров полупроводников [Электронный ресурс] : [метод. указания к лаб. работе] / Федер. агентство по образованию, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (Нац. исслед. ун-т) ; [сост. А. И. Колпаков и др.]. - Самара : [Изд-во СГАУ], 2010. - on-line | ru |
dc.description.abstract | Используемые программы: Adobe Acrobat | ru |
dc.description.abstract | Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия) | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 563 Кбайт) | ru |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.publisher | [Изд-во СГАУ] | ru |
dc.relation.isformatof | Определение параметров полупроводников [Текст] : [метод. указания к лаб. работе] | ru |
dc.title | Определение параметров полупроводников | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 47.33.29 | ru |
dc.subject.udc | 621.382(075) | ru |
dc.subject.udc | СГАУ:6(075) | ru |
dc.textpart | С повышением температуры некоторое количество электронов покидает валентную зону и переходит в зону проводимости. Распределение электронов и дырок по энергиям в соответствующих зонах полупроводника описывается статистикой Ферми – Дирака, характеризую- щей вероятность того, что состояние с энергией E при температуре Т занято электроном (дыркой): ... | - |
Располагается в коллекциях: | Методические издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Колпаков В.А. Определение параметров.pdf | from 1C | 563.48 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.