Отрывок: Контроль геометрических размеров элементов после Нанесение слоя фото- резиста Сушка Экспо- нирование Прояв- ление Дубле- ние Трав- ление Контроль геометрических размеров Контроль геометрических размеров Снятие фото- резиста 9 проявления производят путем измерения линейных размеров на оптических микроскопах типа УИМ-21, УИМ-23 и проверяют на соответствие размерам, заложенным в топологии. После проявления проводя...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorДмитриев В. Д.ru
dc.contributor.authorМеркулов А. И.ru
dc.contributor.authorСамарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королеваru
dc.coverage.spatialгибридные интегральные микросхемы (ГИМС)ru
dc.coverage.spatialинтегральные микросхемыru
dc.coverage.spatialтонкопленочные гибридные интегральные микросхемыru
dc.coverage.spatialфотолитографияru
dc.coverage.spatialметод фотолитографииru
dc.date.issued2005ru
dc.identifierRU/НТБ СГАУ/WALL/СГАУ:6/И 395-672153ru
dc.identifier.citationИзучение технологии изготовления элементов гибридных интегральных микросхем методом фотолитографии [Электронный ресурс] : метод. указания к лаб. работе по курсу "Технолог. процессы микроэлектроники" / Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; сост. В. Д. Дмитриев, А. И. Меркулов. - Самара : СГАУ, 2005. - on-lineru
dc.description.abstractПриведены теоретические сведения по технологии изготовления элементов тонкопленочных гибридных интегральных микросхем методом фотолитографии. Рассмотрены вопросы повышения качества и точности фотолитографического процесса, приведен типовой технологическийru
dc.description.abstractИспользуемые программы: Adobe Acrobatru
dc.description.abstractТруды сотрудников СГАУ (электрон. версия)ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 949 Кбайт)ru
dc.language.isorusru
dc.publisherСГАУru
dc.relation.isformatofИзучение технологии изготовления элементов гибридных интегральных микросхем методом фотолитографии [Текст] : метод. указания к лаб. работе по курсу "Тru
dc.titleИзучение технологии изготовления элементов гибридных интегральных микросхем методом фотолитографииru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.33.31ru
dc.subject.udc621.382.049.77(075)ru
dc.subject.udcСГАУ:6(075)ru
dc.textpartКонтроль геометрических размеров элементов после Нанесение слоя фото- резиста Сушка Экспо- нирование Прояв- ление Дубле- ние Трав- ление Контроль геометрических размеров Контроль геометрических размеров Снятие фото- резиста 9 проявления производят путем измерения линейных размеров на оптических микроскопах типа УИМ-21, УИМ-23 и проверяют на соответствие размерам, заложенным в топологии. После проявления проводя...-
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
Дмитриев В.Д. Изучение технологии 2005.pdf274.79 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.