Отрывок: 3. Используя h - параметры, измеренные в схеме с общим эмиттером, рассчитать h параметры для схемы с общей базой. Сравнить расчетные и эксперименталь- ные параметры и оценить погрешность измерения. 4. По измеренным h - параметрам в схеме с общим эмиттером найти параметры Т- образной эквивалентной схемы транзистора для схем его включения общая ба- за, общий эмиттер. Порядок выполнения работы транзистора включенного по схеме с общей базой. 1. Руководствуясь б...
Название : | Изучение принципов работы биполярного транзистора |
Авторы/Редакторы : | Колпаков А. И. Колпаков В. А. Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева |
Дата публикации : | 2002 |
Библиографическое описание : | Изучение принципов работы биполярного транзистора [Электронный ресурс] : метод. указания к лаб. работе / Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; сост. А. И. Колпаков, сост. В. А. Колпаков. - Самара, 2002. - on-line |
Аннотация : | Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия) Используемые программы: Adobe Acrobat Приведены теоретические сведения по анализу схем включения транзисторов с общей базой, общим коллектором и общим эмиттером. Описан порядок расчета парамет-ров эквивалентных схем замещения. Даны понятия h-параметров транзисторов. Предназначены для студенто |
Другие идентификаторы : | RU/НТБ СГАУ/WALL/СГАУ:6/И 395-498805 |
Ключевые слова: | расчет коллекторы биполярные транзисторы эмиттеры транзисторы эквивалентные схемы замещения теория линейного четырехполюсника схемы |
Располагается в коллекциях: | Методические издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Колпаков А.И. Изучение принципов.pdf | from 1C | 266.59 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.