Отрывок: 3. Используя h - параметры, измеренные в схеме с общим эмиттером, рассчитать h параметры для схемы с общей базой. Сравнить расчетные и эксперименталь- ные параметры и оценить погрешность измерения. 4. По измеренным h - параметрам в схеме с общим эмиттером найти параметры Т- образной эквивалентной схемы транзистора для схем его включения общая ба- за, общий эмиттер. Порядок выполнения работы транзистора включенного по схеме с общей базой. 1. Руководствуясь б...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Колпаков А. И. | ru |
dc.contributor.author | Колпаков В. А. | ru |
dc.contributor.author | Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева | ru |
dc.coverage.spatial | расчет | ru |
dc.coverage.spatial | коллекторы | ru |
dc.coverage.spatial | биполярные транзисторы | ru |
dc.coverage.spatial | эмиттеры | ru |
dc.coverage.spatial | транзисторы | ru |
dc.coverage.spatial | эквивалентные схемы замещения | ru |
dc.coverage.spatial | теория линейного четырехполюсника | ru |
dc.coverage.spatial | схемы | ru |
dc.date.issued | 2002 | ru |
dc.identifier | RU/НТБ СГАУ/WALL/СГАУ:6/И 395-498805 | ru |
dc.identifier.citation | Изучение принципов работы биполярного транзистора [Электронный ресурс] : метод. указания к лаб. работе / Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; сост. А. И. Колпаков, сост. В. А. Колпаков. - Самара, 2002. - on-line | ru |
dc.description.abstract | Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия) | ru |
dc.description.abstract | Используемые программы: Adobe Acrobat | ru |
dc.description.abstract | Приведены теоретические сведения по анализу схем включения транзисторов с общей базой, общим коллектором и общим эмиттером. Описан порядок расчета парамет-ров эквивалентных схем замещения. Даны понятия h-параметров транзисторов. Предназначены для студенто | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 266 Кбайт) | ru |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.title | Изучение принципов работы биполярного транзистора | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 47.14 | ru |
dc.subject.udc | СГАУ:6(075) | ru |
dc.subject.udc | 621.382.3 | ru |
dc.textpart | 3. Используя h - параметры, измеренные в схеме с общим эмиттером, рассчитать h параметры для схемы с общей базой. Сравнить расчетные и эксперименталь- ные параметры и оценить погрешность измерения. 4. По измеренным h - параметрам в схеме с общим эмиттером найти параметры Т- образной эквивалентной схемы транзистора для схем его включения общая ба- за, общий эмиттер. Порядок выполнения работы транзистора включенного по схеме с общей базой. 1. Руководствуясь б... | - |
Располагается в коллекциях: | Методические издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Колпаков А.И. Изучение принципов.pdf | from 1C | 266.59 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.