Отрывок: 3. Используя h - параметры, измеренные в схеме с общим эмиттером, рассчитать h параметры для схемы с общей базой. Сравнить расчетные и эксперименталь- ные параметры и оценить погрешность измерения. 4. По измеренным h - параметрам в схеме с общим эмиттером найти параметры Т- образной эквивалентной схемы транзистора для схем его включения общая ба- за, общий эмиттер. Порядок выполнения работы транзистора включенного по схеме с общей базой. 1. Руководствуясь б...
Название : Изучение принципов работы биполярного транзистора
Авторы/Редакторы : Колпаков А. И.
Колпаков В. А.
Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева
Дата публикации : 2002
Библиографическое описание : Изучение принципов работы биполярного транзистора [Электронный ресурс] : метод. указания к лаб. работе / Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; сост. А. И. Колпаков, сост. В. А. Колпаков. - Самара, 2002. - on-line
Аннотация : Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия)
Используемые программы: Adobe Acrobat
Приведены теоретические сведения по анализу схем включения транзисторов с общей базой, общим коллектором и общим эмиттером. Описан порядок расчета парамет-ров эквивалентных схем замещения. Даны понятия h-параметров транзисторов. Предназначены для студенто
Другие идентификаторы : RU/НТБ СГАУ/WALL/СГАУ:6/И 395-498805
Ключевые слова: расчет
коллекторы
биполярные транзисторы
эмиттеры
транзисторы
эквивалентные схемы замещения
теория линейного четырехполюсника
схемы
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
Колпаков А.И. Изучение принципов.pdffrom 1C266.59 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.