Отрывок: 3. Используя h - параметры, измеренные в схеме с общим эмиттером, рассчитать h параметры для схемы с общей базой. Сравнить расчетные и эксперименталь- ные параметры и оценить погрешность измерения. 4. По измеренным h - параметрам в схеме с общим эмиттером найти параметры Т- образной эквивалентной схемы транзистора для схем его включения общая ба- за, общий эмиттер. Порядок выполнения работы транзистора включенного по схеме с общей базой. 1. Руководствуясь б...
Название : Изучение принципов работы биполярного транзистора [Электронный ресурс] : метод. указания к лаб. работе
Авторы/Редакторы : Колпаков А. И.
Колпаков В. А.
Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева
Дата публикации : 2002
Аннотация : Приведены теоретические сведения по анализу схем включения транзисторов с общей базой, общим коллектором и общим эмиттером. Описан порядок расчета парамет-ров эквивалентных схем замещения. Даны понятия h-параметров транзисторов. Предназначены для студенто
Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия)
Используемые программы: Adobe Acrobat
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-ukazaniya/Izuchenie-principov-raboty-bipolyarnogo-tranzistora-Elektronnyi-resurs-metod-ukazaniya-k-lab-rabote-53899
Другие идентификаторы : RU/НТБ СГАУ/WALL/СГАУ:6/И 395-498805
Ключевые слова: биполярные транзисторы
коллекторы
эмиттеры
эквивалентные схемы замещения
теория линейного четырехполюсника
схемы
транзисторы
расчет
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
Колпаков А.И. Изучение принципов.pdffrom 1C266.59 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.