Отрывок: При этом в обратном токе появляется составляющая, пропорциональная ширине области объемного заряда и зависящая от напряжения обратного смещения. В этом случае на начальном участке ВАХ (кривая 2 на рис. 2) оказывается больше, чем это следует из соот- ношения (15). В отличие от sI генерационный ток пропорционален ni в первой степени: τ/ген dqsnI i≈ , (19) где d – ширина области...
Название : | Исследование статических характеристик полупроводникового диода |
Авторы/Редакторы : | Колпаков А. И. Колпаков В. А. Кричевский С. В. Министерство образования и науки Российской Федерации Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) |
Дата публикации : | 2016 |
Издательство : | Изд-во Самар. ун-та |
Библиографическое описание : | Исследование статических характеристик полупроводникового диода [Электронный ресурс] : [метод. указ. к лаб. работам по прогр. высш. образования] / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; сост. А. И. Колпаков, В. А. Колпаков, С. В. Кричевский. - Самаpа : Изд-во Самар. ун-та, 2016. - on-line |
Аннотация : | Труды сотрудников Самар. ун-та (электрон. версия). Приведены физические основы работы полупроводникового диода, механизмы формирования диффузионного, дрейфового токов, емкостных и частотныхсвойств p-n-перехода, теоретические сведения по анализу особенностей его конструкции. Описан порядок расчета парамет Гриф. Используемые программы: Adobe Acrobat. |
Другие идентификаторы : | RU\НТБ СГАУ\337711 |
Ключевые слова: | барьерная емкость p-n-переход дрейфовый ток полупроводниковые диоды частотные свойства диода дифференциальное сопротивление диффузионная емкость диффузионный ток |
Располагается в коллекциях: | Методические издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Колпаков А.И. Исследование.pdf | 227.9 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.