Отрывок: При этом в обратном токе появляется составляющая, пропорциональная ширине области объемного заряда и зависящая от напряжения обратного смещения. В этом случае на начальном участке ВАХ (кривая 2 на рис. 2) оказывается больше, чем это следует из соот- ношения (15). В отличие от sI генерационный ток пропорционален ni в первой степени: τ/ген dqsnI i≈ , (19) где d – ширина области...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Колпаков А. И. | ru |
dc.contributor.author | Колпаков В. А. | ru |
dc.contributor.author | Кричевский С. В. | ru |
dc.contributor.author | Министерство образования и науки Российской Федерации | ru |
dc.contributor.author | Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) | ru |
dc.coverage.spatial | барьерная емкость | ru |
dc.coverage.spatial | p-n-переход | ru |
dc.coverage.spatial | дрейфовый ток | ru |
dc.coverage.spatial | полупроводниковые диоды | ru |
dc.coverage.spatial | частотные свойства диода | ru |
dc.coverage.spatial | дифференциальное сопротивление | ru |
dc.coverage.spatial | диффузионная емкость | ru |
dc.coverage.spatial | диффузионный ток | ru |
dc.date.issued | 2016 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\337711 | ru |
dc.identifier.citation | Исследование статических характеристик полупроводникового диода [Электронный ресурс] : [метод. указ. к лаб. работам по прогр. высш. образования] / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; сост. А. И. Колпаков, В. А. Колпаков, С. В. Кричевский. - Самаpа : Изд-во Самар. ун-та, 2016. - on-line | ru |
dc.description.abstract | Труды сотрудников Самар. ун-та (электрон. версия). | ru |
dc.description.abstract | Приведены физические основы работы полупроводникового диода, механизмы формирования диффузионного, дрейфового токов, емкостных и частотныхсвойств p-n-перехода, теоретические сведения по анализу особенностей его конструкции. Описан порядок расчета парамет | ru |
dc.description.abstract | Гриф. | ru |
dc.description.abstract | Используемые программы: Adobe Acrobat. | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 277 Кб) | ru |
dc.publisher | Изд-во Самар. ун-та | ru |
dc.relation.isformatof | Исследование статических характеристик полупроводникового диода [Текст] : [метод. указания к лаб. работам] | ru |
dc.title | Исследование статических характеристик полупроводникового диода | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 47.33 | ru |
dc.subject.udc | 621.382.2(075) | ru |
dc.textpart | При этом в обратном токе появляется составляющая, пропорциональная ширине области объемного заряда и зависящая от напряжения обратного смещения. В этом случае на начальном участке ВАХ (кривая 2 на рис. 2) оказывается больше, чем это следует из соот- ношения (15). В отличие от sI генерационный ток пропорционален ni в первой степени: τ/ген dqsnI i≈ , (19) где d – ширина области... | - |
Располагается в коллекциях: | Методические издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Колпаков А.И. Исследование.pdf | 227.9 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.