Отрывок: При этом в обратном токе появляется составляющая, пропорциональная ширине области объемного заряда и зависящая от напряжения обратного смещения. В этом случае на начальном участке ВАХ (кривая 2 на рис. 2) оказывается больше, чем это следует из соот- ношения (15). В отличие от sI генерационный ток пропорционален ni в первой степени: τ/ген dqsnI i≈ , (19) где d – ширина области...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorКолпаков А. И.ru
dc.contributor.authorКолпаков В. А.ru
dc.contributor.authorКричевский С. В.ru
dc.contributor.authorМинистерство образования и науки Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.coverage.spatialбарьерная емкостьru
dc.coverage.spatialp-n-переходru
dc.coverage.spatialдрейфовый токru
dc.coverage.spatialполупроводниковые диодыru
dc.coverage.spatialчастотные свойства диодаru
dc.coverage.spatialдифференциальное сопротивлениеru
dc.coverage.spatialдиффузионная емкостьru
dc.coverage.spatialдиффузионный токru
dc.date.issued2016ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\337711ru
dc.identifier.citationИсследование статических характеристик полупроводникового диода [Электронный ресурс] : [метод. указ. к лаб. работам по прогр. высш. образования] / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; сост. А. И. Колпаков, В. А. Колпаков, С. В. Кричевский. - Самаpа : Изд-во Самар. ун-та, 2016. - on-lineru
dc.description.abstractТруды сотрудников Самар. ун-та (электрон. версия).ru
dc.description.abstractПриведены физические основы работы полупроводникового диода, механизмы формирования диффузионного, дрейфового токов, емкостных и частотныхсвойств p-n-перехода, теоретические сведения по анализу особенностей его конструкции. Описан порядок расчета параметru
dc.description.abstractГриф.ru
dc.description.abstractИспользуемые программы: Adobe Acrobat.ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 277 Кб)ru
dc.publisherИзд-во Самар. ун-таru
dc.relation.isformatofИсследование статических характеристик полупроводникового диода [Текст] : [метод. указания к лаб. работам]ru
dc.titleИсследование статических характеристик полупроводникового диодаru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.33ru
dc.subject.udc621.382.2(075)ru
dc.textpartПри этом в обратном токе появляется составляющая, пропорциональная ширине области объемного заряда и зависящая от напряжения обратного смещения. В этом случае на начальном участке ВАХ (кривая 2 на рис. 2) оказывается больше, чем это следует из соот- ношения (15). В отличие от sI генерационный ток пропорционален ni в первой степени: τ/ген dqsnI i≈ , (19) где d – ширина области...-
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Колпаков А.И. Исследование.pdf227.9 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.