Отрывок: В большинстве практических случаев для определения термоЭДС можно использовать следующие свойства: 13 1. В небольшом диапазоне температур величину термоЭДС ξ мож- но считать пропорциональной разности температур ΔT и описывать равенством Ξ = αΔT. (28) 2. Если термоэлектрическая цепь составлена из последовательно соединенных электронного и дырочного полупроводников, то термо- ЭДС отдельных элементов складываются ξ12 ...
Название : Исследование механизмов формирования термоэлектрических эффектов в полупроводниках
Авторы/Редакторы : Колпаков А. И.
Колпаков В. А.
Кричевский С. В.
Министерство образования и науки Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Дата публикации : 2016
Издательство : Изд-во Самар. ун-та
Библиографическое описание : Исследование механизмов формирования термоэлектрических эффектов в полупроводниках [Электронный ресурс] : [метод. указания к лаб. работам по прогр. высш. образования] / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; сост. А. И. Колпаков, В. А. Колпаков, С. В. Кричевский. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2016. - on-line
Аннотация : Труды сотрудников Самар. ун-та (электрон. версия).
Используемые программы: Adobe Acrobat.
Гриф.
Приведены физические основы термоэлектрических эффектов в полупроводниках, аналитическое описание механизма формирования термоЭДС, эффектов Пельтье и Томпсона, методов измерения и расчета их параметров, определения типа проводимости полупроводника и геоме
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\337709
Ключевые слова: методы расчета параметров
эффект Пельтье
эффект Томпсона
тип проводимости
p-n-области
p-n-переход
глубина легирования
термоЭДС
термоэлектрические эффекты
полупроводники
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Колпаков А.И. Исследование механизмов.pdf319.95 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.