Отрывок: В большинстве практических случаев для определения термоЭДС можно использовать следующие свойства: 13 1. В небольшом диапазоне температур величину термоЭДС ξ мож- но считать пропорциональной разности температур ΔT и описывать равенством Ξ = αΔT. (28) 2. Если термоэлектрическая цепь составлена из последовательно соединенных электронного и дырочного полупроводников, то термо- ЭДС отдельных элементов складываются ξ12 ...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Колпаков А. И. | ru |
dc.contributor.author | Колпаков В. А. | ru |
dc.contributor.author | Кричевский С. В. | ru |
dc.contributor.author | Министерство образования и науки Российской Федерации | ru |
dc.contributor.author | Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) | ru |
dc.coverage.spatial | методы расчета параметров | ru |
dc.coverage.spatial | эффект Пельтье | ru |
dc.coverage.spatial | эффект Томпсона | ru |
dc.coverage.spatial | тип проводимости | ru |
dc.coverage.spatial | p-n-области | ru |
dc.coverage.spatial | p-n-переход | ru |
dc.coverage.spatial | глубина легирования | ru |
dc.coverage.spatial | термоЭДС | ru |
dc.coverage.spatial | термоэлектрические эффекты | ru |
dc.coverage.spatial | полупроводники | ru |
dc.date.issued | 2016 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\337709 | ru |
dc.identifier.citation | Исследование механизмов формирования термоэлектрических эффектов в полупроводниках [Электронный ресурс] : [метод. указания к лаб. работам по прогр. высш. образования] / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; сост. А. И. Колпаков, В. А. Колпаков, С. В. Кричевский. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2016. - on-line | ru |
dc.description.abstract | Труды сотрудников Самар. ун-та (электрон. версия). | ru |
dc.description.abstract | Используемые программы: Adobe Acrobat. | ru |
dc.description.abstract | Гриф. | ru |
dc.description.abstract | Приведены физические основы термоэлектрических эффектов в полупроводниках, аналитическое описание механизма формирования термоЭДС, эффектов Пельтье и Томпсона, методов измерения и расчета их параметров, определения типа проводимости полупроводника и геоме | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 319 Кб) | ru |
dc.publisher | Изд-во Самар. ун-та | ru |
dc.relation.isformatof | Исследование механизмов формирования термоэлектрических эффектов в полупроводниках [Электронный ресурс] : [метод. указания к лаб. работам по прогр. вы | ru |
dc.title | Исследование механизмов формирования термоэлектрических эффектов в полупроводниках | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 47.33 | ru |
dc.subject.udc | 621.382(075) | ru |
dc.subject.udc | 621.362(075) | ru |
dc.textpart | В большинстве практических случаев для определения термоЭДС можно использовать следующие свойства: 13 1. В небольшом диапазоне температур величину термоЭДС ξ мож- но считать пропорциональной разности температур ΔT и описывать равенством Ξ = αΔT. (28) 2. Если термоэлектрическая цепь составлена из последовательно соединенных электронного и дырочного полупроводников, то термо- ЭДС отдельных элементов складываются ξ12 ... | - |
Располагается в коллекциях: | Методические издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Колпаков А.И. Исследование механизмов.pdf | 319.95 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.