Отрывок: Оценка плотности состояний для модели, соотэетствушей та-1 хим условиям, дает величину 2*1012 состояний s i r 1, см2. Приборыс шпатоешше ка основе барьера ме?&гй~волузровс.днЕК, широко используется в цифровой логике, так каю отличаются шеохяк быстродействием н маднкх разчеркид, если изготавливаются в струк­ турах интегральных микросхем, Растет .интерес к к мостам выпрямитель-- л»? дивжв» Шот'гкП;...
Название : Исследование влияния поверхности полупроводника на свойства диода Шоттки
Авторы/Редакторы : Колпаков А. И.
Министерство науки
высшего образования и технической политики РСФСР
Самарский авиационный институт им. С. П. Королева
Дата публикации : 1992
Библиографическое описание : Исследование влияния поверхности полупроводника на свойства диода Шоттки : метод. указания к лаб. работе. - Текст : электронный / М-во науки, высш. образования и техн. политики РСФСР, Самар. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; сост. А. И. Колпаков. - 1992. - 1 файл (1,13 Мб)
Аннотация : Используемые программы Adobe Acrobat
Труды сотрудников САИ (электрон. версия)
Цель работы - закрепление знаний по теории физикиполупроводников и полупроводниковых приборов, читаемых в курсах "Специальная микроэлектроника" и "Специальные вопросы микроэлектроники"; овладение методиками расчета параметров полупроводниковых приборов и практическими навыками работы с приборами, обладающими структурой типа металл-полупроводник.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Issledovanie-vliyaniya-poverhnosti-poluprovodnika-na-svoistva-dioda-Shottki-96379
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\476307
Ключевые слова: диоды
методические издания
полупроводники
полупроводниковые приборы
физика полупроводников
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Колпаков А.И. Исследование влияния 1992.pdf1.16 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.