Отрывок: Изменение рабочей температуры полупроводниковых приборов производится путем постепенного опускания штанги в пары гадкого азота, находящегося в сосуде Дьюара. Контроль температуры осу ществляется с помощью датчика температуры (т...
Название : | Исследование параметров полупроводниковых приборов при низких температурах |
Авторы/Редакторы : | Бояринцев В. И. Министерство высшего и среднего специального образования РСФСР Куйбышевский авиационный институт им. С. П. Королева |
Дата публикации : | 1989 |
Библиографическое описание : | Исследование параметров полупроводниковых приборов при низких температурах : метод. указания к лаб. работе по курсу "Криог. электроника” / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева, Каф. "Конструирования радиоэлектрон. аппаратуры" ; [сост. Бояринцев В. И.]. - Куйбышев, 1989. - 1 файл (2,29 Мб). - Текст : электронный |
Аннотация : | В настоящих методических указаниях даны рекомендации по выполнению лабораторной работы. Приводятся необходимые теоретические и экспериментальные сведения о поведении полупроводниковых приборов при криогенных температурах. Гриф. Используемые программы: Adobe Acrobat. Труды сотрудников КуАИ (электрон. версия). |
Другие идентификаторы : | RU\НТБ СГАУ\478851 |
Ключевые слова: | криогенная электроника криогенные температуры методические указания полупроводниковые приборы |
Располагается в коллекциях: | Методические издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Бояринцев В.И. Исследование параметров полупроводниковых 1989.pdf | 2.34 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.