Отрывок: Изменение рабочей температуры полупроводниковых приборов производится путем постепенного опускания штанги в пары гадкого азота, находящегося в сосуде Дьюара. Контроль температуры осу ществляется с помощью датчика температуры (т...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Бояринцев В. И. | ru |
dc.contributor.author | Министерство высшего и среднего специального образования РСФСР | ru |
dc.contributor.author | Куйбышевский авиационный институт им. С. П. Королева | ru |
dc.coverage.spatial | криогенная электроника | ru |
dc.coverage.spatial | криогенные температуры | ru |
dc.coverage.spatial | методические указания | ru |
dc.coverage.spatial | полупроводниковые приборы | ru |
dc.date.issued | 1989 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\478851 | ru |
dc.identifier.citation | Исследование параметров полупроводниковых приборов при низких температурах : метод. указания к лаб. работе по курсу "Криог. электроника” / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева, Каф. "Конструирования радиоэлектрон. аппаратуры" ; [сост. Бояринцев В. И.]. - Куйбышев, 1989. - 1 файл (2,29 Мб). - Текст : электронный | ru |
dc.description.abstract | В настоящих методических указаниях даны рекомендации по выполнению лабораторной работы. Приводятся необходимые теоретические и экспериментальные сведения о поведении полупроводниковых приборов при криогенных температурах. | ru |
dc.description.abstract | Гриф. | ru |
dc.description.abstract | Используемые программы: Adobe Acrobat. | ru |
dc.description.abstract | Труды сотрудников КуАИ (электрон. версия). | ru |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.relation.isformatof | Исследование параметров полупроводниковых приборов при низких температурах : метод. указания к лаб. работе по курсу "Криог. электроника”. - Текст : н | ru |
dc.title | Исследование параметров полупроводниковых приборов при низких температурах | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 47.01 | ru |
dc.subject.udc | 621.382(075) | ru |
dc.textpart | Изменение рабочей температуры полупроводниковых приборов производится путем постепенного опускания штанги в пары гадкого азота, находящегося в сосуде Дьюара. Контроль температуры осу ществляется с помощью датчика температуры (т... | - |
Располагается в коллекциях: | Методические издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Бояринцев В.И. Исследование параметров полупроводниковых 1989.pdf | 2.34 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.