Отрывок: Изменение рабочей температуры полупроводниковых приборов производится путем постепенного опускания штанги в пары гадкого азота, находящегося в сосуде Дьюара. Контроль температуры осу­ ществляется с помощью датчика температуры (т...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorБояринцев В. И.ru
dc.contributor.authorМинистерство высшего и среднего специального образования РСФСРru
dc.contributor.authorКуйбышевский авиационный институт им. С. П. Королеваru
dc.coverage.spatialкриогенная электроникаru
dc.coverage.spatialкриогенные температурыru
dc.coverage.spatialметодические указанияru
dc.coverage.spatialполупроводниковые приборыru
dc.date.issued1989ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\478851ru
dc.identifier.citationИсследование параметров полупроводниковых приборов при низких температурах : метод. указания к лаб. работе по курсу "Криог. электроника” / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева, Каф. "Конструирования радиоэлектрон. аппаратуры" ; [сост. Бояринцев В. И.]. - Куйбышев, 1989. - 1 файл (2,29 Мб). - Текст : электронныйru
dc.description.abstractВ настоящих методических указаниях даны рекомендации по выполнению лабораторной работы. Приводятся необходимые теоретические и экспериментальные сведения о поведении полупроводниковых приборов при криогенных температурах.ru
dc.description.abstractГриф.ru
dc.description.abstractИспользуемые программы: Adobe Acrobat.ru
dc.description.abstractТруды сотрудников КуАИ (электрон. версия).ru
dc.language.isorusru
dc.relation.isformatofИсследование параметров полупроводниковых приборов при низких температурах : метод. указания к лаб. работе по курсу "Криог. электроника”. - Текст : нru
dc.titleИсследование параметров полупроводниковых приборов при низких температурахru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.01ru
dc.subject.udc621.382(075)ru
dc.textpartИзменение рабочей температуры полупроводниковых приборов производится путем постепенного опускания штанги в пары гадкого азота, находящегося в сосуде Дьюара. Контроль температуры осу­ ществляется с помощью датчика температуры (т...-
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Бояринцев В.И. Исследование параметров полупроводниковых 1989.pdf2.34 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.