Отрывок: Изменение рабочей температуры полупроводниковых приборов производится путем постепенного опускания штанги в пары гадкого азота, находящегося в сосуде Дьюара. Контроль температуры осу­ ществляется с помощью датчика температуры (т...
Название : Исследование параметров полупроводниковых приборов при низких температурах
Авторы/Редакторы : Бояринцев В. И.
Министерство высшего и среднего специального образования РСФСР
Куйбышевский авиационный институт им. С. П. Королева
Дата публикации : 1989
Библиографическое описание : Исследование параметров полупроводниковых приборов при низких температурах : метод. указания к лаб. работе по курсу "Криог. электроника” / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева, Каф. "Конструирования радиоэлектрон. аппаратуры" ; [сост. Бояринцев В. И.]. - Куйбышев, 1989. - 1 файл (2,29 Мб). - Текст : электронный
Аннотация : В настоящих методических указаниях даны рекомендации по выполнению лабораторной работы. Приводятся необходимые теоретические и экспериментальные сведения о поведении полупроводниковых приборов при криогенных температурах.
Гриф.
Используемые программы: Adobe Acrobat.
Труды сотрудников КуАИ (электрон. версия).
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\478851
Ключевые слова: криогенная электроника
криогенные температуры
методические указания
полупроводниковые приборы
Располагается в коллекциях: Методические издания




Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.