Отрывок: 2,в). Остается открытым вопрос — каким образом осуществля­ ется начальный переброс электронов из валентной зоны в зо­ ну проводимости? Ведь для подобного переброса необходима значительная затрата энергии, равная ширине запрещенной зоны ЛИ/. Электрическое поле не в состоянии этого обеспе­ чить. Действительно, если учесть, что длина свободного про­ бега носителя в кристалле не превышает 10° см, то даже электрическое поле напряженностью 105 В/см ...
Название : Исследование электропроводности полупроводников
Авторы/Редакторы : Саноян А. Г.
Министерство высшего и среднего специального образования РСФСР
Куйбышевский авиационный институт им. С. П. Королева
Дата публикации : 1977
Библиографическое описание : Исследование электропроводности полупроводников : лаб. работа № 5 / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П.Королева ; [сост. А. Г. Саноян]. - Куйбышев, 1977. - 1 файл (972,25 Кб). - Текст : электронный
Аннотация : Используемые программы: Adobe Acrobat.
Труды сотрудников КуАИ (электрон. версия).
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Issledovanie-elektroprovodnosti-poluprovodnikov-97716
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\478754
Ключевые слова: полупроводники
учебные издания
электропроводность полупроводников
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Саноян А.Г. Исследование электропроводности. Лабораторная раб. № 5. 1977.pdf972.25 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.