Отрывок: Б электронной микроскопии изображение получают с помощью элект­ ронов, прошедших через объект, либо отраженных от него, либо им ис­ пущенных, Электронные пучки форшруются электронно-оптическими сис­ темами с использованием электромагнитных или электростатических линз. Изображение фиксируется на люминесцентных экранах, фотопластин­ ках или иных чувствительных к электронам детекторах с ...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorРафельсон Л. Л.ru
dc.contributor.authorЧернова Т. В.ru
dc.contributor.author. Министерство наукиru
dc.contributor.authorвысшей школы и технической политики Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королеваru
dc.coverage.spatialинтегральные схемыru
dc.coverage.spatialмикроэлектроникаru
dc.coverage.spatialметодические указанияru
dc.coverage.spatialполупроводникиru
dc.date.issued1993ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\449978ru
dc.identifier.citationАналитические исследования и измерения в производстве изделий специальной микроэлектроники : метод. указания к контролируемой самостоят. работе. - Текст : электронный / М-во науки, высш. шк. и техн. политики Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; сост. Л. Л. Рафельсон, Т. В. Чернова. - Самаpа, 1993. - 1 файл (903 Кб)ru
dc.description.abstractРассмотрены современные методы исследования тонкопленочных и толстопленочных элементов интегральных схем, полупроводников, сегнето- и пьезоэлектриков, материалов функциональных схем. Дан сравнительный анализ различных методов, приведены их возможности и ограничения. Приведены примеры практического использования методик для исследования и измерения параметров элементов интегральных схем. Рекомендуется студентам спец. 23.03, изучающим курс "Специальные вопросы микроэлектроники и технологии*. Составлены на кафедре "Микроэлектроника и технология РЗА*.ru
dc.description.abstractТруды сотрудников СГАУ (электрон. версия).ru
dc.description.abstractИспользуемые программы: Adobe Acrobat.ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 903 КБ)ru
dc.language.isorusru
dc.relation.isformatofАналитические исследования и измерения в производстве изделий специальной микроэлектроники : метод. указания к контролируемой самостоят. работе. - Текru
dc.titleАналитические исследования и измерения в производстве изделий специальной микроэлектроникиru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.33.31ru
dc.subject.udc621.382.049.77.002(075)ru
dc.textpartБ электронной микроскопии изображение получают с помощью элект­ ронов, прошедших через объект, либо отраженных от него, либо им ис­ пущенных, Электронные пучки форшруются электронно-оптическими сис­ темами с использованием электромагнитных или электростатических линз. Изображение фиксируется на люминесцентных экранах, фотопластин­ ках или иных чувствительных к электронам детекторах с ...-
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Рафельсон Л.Л. Аналитические исследования 1993.pdf904 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.